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應(yīng)用開發(fā)

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三菱電機成功開發(fā)基于新型結(jié)構(gòu)的SiC－MOSFET

新型芯片結(jié)構(gòu)能有效防止浪涌電流集中在特定芯片上圖1：新開發(fā)的芯片結(jié)構(gòu)（上:芯片截面；下:并聯(lián)芯片）三菱電機集團(tuán)近日（2023年6月1日）宣布，其開發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型工業(yè)設(shè)備。樣品于5月31日開...
三菱電機SiC－MOSFET 2023-06-09

采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計高能效焊機

“引言”近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應(yīng)運而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計方法通過改良設(shè)計提高了能效和功率密度。文：英飛凌科技高級應(yīng)用工程師Jorge Cer...
增強互連封裝技術(shù)1200 V SiC MOSFET單管... 2023-06-06

SiC 和 GaN 功率器件的可靠性和質(zhì)量要求

Innoscience 和其他公司已經(jīng)超越了標(biāo)準(zhǔn)的可靠性和生產(chǎn)測試來強調(diào)部件失效，推斷出可以估計 1 ppm 故障率壽命的壽命曲線。動態(tài)導(dǎo)通電阻 (R DS(on) ) 作為 GaN 在開關(guān)應(yīng)用中可能的故障模式而被廣泛討論，并且可以被視為材料缺陷的征兆。Innoscience通過多項工藝改進(jìn)解決了這個問題。控制 e-mod...
SiCGaN 功率器件 2023-05-29

如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)...
可變柵極驅(qū)動SiC 牽引逆變器 2023-05-23

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？

本文作者：安森美高級產(chǎn)品線經(jīng)理Jonathan Liao隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅(qū)動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流...
IGBTSiC電動汽車 2023-05-19

如何利用快速開關(guān)的TRENCHSTOP 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC

緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)。現(xiàn)在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應(yīng)用的工程師還有一個目標(biāo)：保持高功率因數(shù)（PF）。特別是空調(diào)，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設(shè)備之一。在這里，功率因數(shù)校正（PFC）是強制性的，對于PFC，設(shè)計者認(rèn)為IGB...
IGBTTRENCHSTOPSiC二極管 2023-04-28

采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩(wěn)壓LLC電源

本文作者：Jonathan Harper 和 Jason Yu節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)和客戶需求正在推動更高效率和更小尺寸的電源解決方案，對標(biāo)準(zhǔn)ACDC電源進(jìn)行功率因數(shù)校正 (PFC) 的要求日益普遍，通過減少諧波含量引起的電力線損耗，從而降低對交流電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施的壓力。而設(shè)計緊湊高效的 PFC 電源是一個復(fù)雜的開發(fā)挑戰(zhàn)。本文將討論3kW P...
SiC MOSFET次級端穩(wěn)壓LLC電源 2023-04-27

適用于運輸領(lǐng)域的SiC：設(shè)計入門

Microchip Technology Inc.Tomas Krecek和Nitesh Satheesh簡介在這篇文章中，作者分析了運輸輔助動力裝置（APU）的需求，并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動器的理想靜態(tài)和動態(tài)特性。為什么使用寬帶隙（WBG）材料？對于任何電力電子工程師來說，必須大致了解適用于功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的半導(dǎo)體物理學(xué)...
SiC MOSFET隔離器APU 2023-04-20

SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

作者：Friedrichs Peter翻譯：趙佳碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計都會非常關(guān)注導(dǎo)通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標(biāo)（如電阻和開關(guān)損耗），與實際應(yīng)用需...
SiC MOSFET碳化硅英飛凌 2023-04-12

SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)

作者：趙佳Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應(yīng)、Vth滯回效應(yīng)、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新...
SiC－MOSFET短溝道效應(yīng) 2023-03-29

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