麻省理工學院（MIT）的研究團隊開發出一種低成本、可擴展的制造技術，可將高性能氮化鎵（GaN）晶體管集成到標準硅芯片上，從而提升高頻應用（如視頻通話、實時深度學習）的性能表現。 氮化鎵是繼硅之后全球第二大半導體材料，因其高頻、高效特性，被廣泛用于雷達、電源電子等領域。然而，其高昂成本... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵硅摩爾定律 2025-6-20 13:27
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