麻省理工學院(MIT)的研究團隊開發出一種低成本、可擴展的制造技術,可將高性能氮化鎵(GaN)晶體管集成到標準硅芯片上,從而提升高頻應用(如視頻通話、實時深度學習)的性能表現。 氮化鎵是繼硅之后全球第二大半導體材料,因其高頻、高效特性,被廣泛用于雷達、電源電子等領域。然而,其高昂成本... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵硅摩爾定律 2025-6-20 13:27