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TC-SAW的核心IP 雖然以SiO₂/LiNbO₃為基礎的TC-SAW核心Stack已經有四十年歷史，且為學術圈首發，IP專利偏弱。但雜波抑制——這一影響TC-SAW核心性能的關鍵技術，卻是各家公司獨自創新研發。而研發的重點則是，既能抑制橫向模式雜波、又可以形成特定結構獨有IP和專利的Piston技... （來源：技術文章頻道）
TC SAW高端濾波器 2025-9-19 10:35
在當前的AI浪潮下，新建一座晶圓廠到底需要多少錢？ 今年3月，全球半導體代工巨頭臺積電（TSMC）宣布，將追加1,000億美元投資美國市場，用于在亞利桑那州鳳凰城新建三座先進制程晶圓廠、兩座先進封裝廠及一座研發中心，形成從制造到封測的完整鏈條，加上已在當地投資650億美元建設兩座晶圓廠使其在美... （來源：技術文章頻道）
AI 晶圓廠 2025-9-1 11:54
三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等，是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題，支撐了摩爾定律的延續。2011年，英特爾成功量產采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司；2025年，... （來源：技術文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
近年來，伴隨著生成式AI與大語言模型的快速發展，用來訓練AI大模型的數據量越來越龐大，單芯片晶體管密度卻已逼近物理與經濟雙重極限。以GPT-4為例，其訓練參數量達到了1800B，OpenAI團隊使用了25000張A100，并花了90-100天的時間才完成了單次訓練，總耗電在2.4億度左右，成本約為6300萬美元。 ... （來源：技術文章頻道）
CoPoSAI 2025-7-30 13:21
技術背景與優勢 鍺擁有高折射率特性，當光線從一種介質進入鍺材料時，會發生較大角度的偏折，這一特性使得鍺在操控光線方面具有強大的能力，能夠精準地改變光線的傳播路徑，為光學器件的設計和應用提供了豐富的可能性。 GeOI（Germanium on insulator, 絕緣體上鍺）襯底技術作為新一代半導體材料... （來源：技術文章頻道）
青禾晶元鍵合技術 2025-7-29 13:05
本文作者：中國科學院微電子研究所研究員葉甜春、苑朋朋、清華大學朱煜、集成電路裝備創新聯盟張國銘、集成電路設計創新聯盟杜曉黎、集成電路零部件創新聯盟雷震霖 面向“十五五”，我國半導體裝備產業面臨技術封鎖與供應鏈脫鉤的雙重挑戰，需從“追趕替代”轉向“路徑創新... （來源：技術文章頻道）
半導體裝備 2025-6-13 13:22
對某塑封器件進行破壞性物理分析(DPA)，發現芯片表面存在玻璃鈍化層裂紋和金屬化層劃傷的缺陷。對缺陷部位進行掃描電子顯微鏡(SEM)檢查和能譜(EDS)分析，通過形貌和成分判斷其形成原因為開封后的超聲波清洗過程中，超聲波振蕩導致環氧塑封料中的二氧化硅填充顆粒碰撞擠壓芯片表面，從而產生裂紋。最后，... （來源：技術文章頻道）
超聲波清洗 2025-5-19 11:03
PIC100 是意法半導體的首個硅光子技術，是在300 毫米晶片上制造的以高能效為亮點的PIC（光子集成電路），每通道數據速率達到200Gbps，未來甚至有望實現更高的帶寬。事實上，此次發布意義重大，因為它開啟了一系列光子集成電路的先河， ST還計劃推出更多的后續技術，助力數據中心、人工智能服務器集... （來源：技術文章頻道）
硅光技術PIC100 2025-4-29 16:13
芯片制造工藝是一個極其復雜且高度精密的過程，主要包括以下關鍵步驟：1.硅片制備：芯片制造通常以硅片作為基礎材料。首先，將高純度的硅原料通過一系列的熔煉、拉晶等工藝，制成單晶硅錠。然后，將硅錠切割成薄片，經過研磨、拋光等處理，得到表面光滑、厚度均勻的硅片，為后續的芯片制造提供平整的基... （來源：技術文章頻道）
芯片制造工藝 芯片制造 2025-3-14 10:17
高精度位移傳感器是用于測量物體位置變化的關鍵儀器，廣泛應用于精密測量、自動化控制、工程測試等領域。這些傳感器通常具有較高的精度和分辨率，能夠檢測微小的位移變化。根據工作原理、結構和應用場景的不同，高精度位移傳感器有多種類型。 常用高精度位移傳感器的種類 電感式位移傳感器（... （來源：技術文章頻道）
高精度位移傳感器 2025-2-6 11:15
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