三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等，是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一，其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題，支撐了摩爾定律的延續。2011年，英特爾成功量產采用FinFET的處理器；2022年，三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司；2025年，... （來源：技術文章頻道）
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
4月17-19日，第25屆中國集成電路制造年會暨供應鏈創新發展大會于廣州開幕, 中國半導體行業協會集成電路分會理事長，中國集成電路創新聯盟副理事長兼秘書長，國家科技重大專項02專項技術總師葉甜春在會上發表《用全球化對逆全球化——中國特色集成電路創新之路思考》的報告。 當前“逆全球化”趨勢愈... （來源：新聞頻道）
葉甜春 集成電路 2023-4-20 09:25
在前幾篇文章中，我們詳細講解了氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝。經過上述工藝，晶圓表面會形成各種半導體元件。SK海力士等半導體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）1；而代工廠或CPU制造商則會讓晶圓底部排列鰭式場效電晶體（FinFET）2等三維晶體管。1電容（Capacitor）：蓄電池等儲存電... （來源：技術文章頻道）
半導體前端工藝 光刻設備 晶體管 電容 2023-3-30 10:16
如今，芯片半導體的短缺給世界各地的汽車制造商和科技巨頭都敲響了警鐘，這場危機向政策制定者、消費者和投資者提出了一個根本性的問題：為什么我們不能生產更多的芯片？ 外媒彭博社對這一問題進行了回答：制造芯片是很難的，而且還會越來越難。在當地時間 5 月 6 日發布的深度報道中，彭博社對芯片... （來源：新聞頻道）
缺芯 2021-5-8 10:52
中國上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 今日推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術將為客戶展現三維 “FinFET”晶體管的性能和功耗優勢，不僅風險更低，而且能夠更快速地推向市場，從而幫助無晶圓廠生態系統在保持其移動市場領... （來源：新品頻道）
14nm XMFinFET 2012-9-21 15:18
世界上第一個3-D三維晶體管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布研制成功，這項技術被稱為“年度最重要技術”，3-D Tri-Gate三維晶體管相比于32nm平面晶體管可帶來最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗減少一半，這意味著它們更加適合用于小型掌上設備。 Intel于2011年5月6日宣布了所謂的“... （來源：電子百科頻道）
三維晶體管Tri-Gate 2012-8-22 16:48
領先的網絡流處理器開發商Netronome日前宣布：進一步延伸該公司與英特爾公司之間的戰略性伙伴關系，其中Netronome的下一代流處理器將使用英特爾領先的22納米工藝進行生產。Netronome將提供世界首批基于英特爾創領市場的3-D三維晶體管技術的流處理器，并且顛覆流處理器在網絡及安全應用方面性能、功耗和... （來源：新品頻道）
Netronome英特爾22納米技術處理器 2012-4-11 10:05
3D三維晶體管 - 簡介 3D三維晶體管 世界上第一個3-D三維晶體管“Tri-Gate”由Intel于2011年5月6日宣布研制成功，這項技術被稱為“年度最重要技術”，3-D Tri-Gate三維晶體管相比于32nm平面晶體管可帶來最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗減少一半，這意味著它們更加適合用于小型掌上設備。 ... （來源：電子百科頻道）
3D三維晶體管 2012-2-24 17:41
Intel今天如約宣布了所謂的“年度最重要技術”——世界上第一個3-D三維晶體管“Tri-Gate”。 晶體管是現代電子學的基石，而Intel此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發明，甚至可以說是“重新發明了晶體管”。半個多世紀以來，晶體管一直都在使用2-D平面結構，現在終于邁入了3-D三維立體時代。 3-D... （來源：新品頻道）
Intel3D晶體管 2011-6-9 14:44
今天Intel宣布在微處理器晶體管設計上取得了一項重大的突破，沿用50多年的傳統硅晶體管將實現3D架構，Intel將其命名Tri-Gate。 Intel今天正式公布3D晶體管技術 其實早在2002年Intel即發現了這一技術，一直處于試驗演示階段，現在終于把它變成了現實，Intel打算把它融入到22n... （來源：新品頻道）
Intel3D晶體管技術 2011-6-9 14:32
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