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SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一,外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積(CVD),本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項。SiC有多種穩(wěn)定的晶體多型(polytype)。因此,為了使獲得的外延生長層能夠繼承SiC襯底的特定晶體多型,需要將襯底的原子三維... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC器件 SiC外延生長技術(shù) 2024-11-7 10:41
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