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源來如此服務(wù)器電源設(shè)計中的五大趨勢

源來如此服務(wù)器電源設(shè)計中的五大趨勢

由于服務(wù)器對于處理數(shù)據(jù)通信至關(guān)重要，因此服務(wù)器行業(yè)與互聯(lián)網(wǎng)同步呈指數(shù)發(fā)展。盡管服務(wù)器單元最初是基于 PC 架構(gòu)，但服務(wù)器系統(tǒng)必須能夠應(yīng)對日益增加的網(wǎng)絡(luò)主機數(shù)量和復(fù)雜性。圖 1 展示了數(shù)據(jù)中心中的典型機架式服務(wù)器系統(tǒng)及服務(wù)器系統(tǒng)方框圖。電源單元 (PSU) 是服務(wù)器系統(tǒng)的核心，而且需要復(fù)雜的... （來源：技術(shù)文章頻道）

服務(wù)器電源 2025-4-30 12:16

服務(wù)器電源設(shè)計中的五大趨勢

服務(wù)器電源設(shè)計中的五大趨勢

本期，我們將聚焦于服務(wù)器電源設(shè)計中的五大趨勢：功率預(yù)算、冗余、效率、工作溫度以及通信和控制并分析預(yù)測服務(wù)器 PSU 的未來發(fā)展趨勢由于服務(wù)器對于處理數(shù)據(jù)通信至關(guān)重要，因此服務(wù)器行業(yè)與互聯(lián)網(wǎng)同步呈指數(shù)發(fā)展。盡管服務(wù)器單元最初是基于 PC 架構(gòu)，但服務(wù)器系統(tǒng)必須能夠應(yīng)對日益增加的網(wǎng)絡(luò)主機數(shù)... （來源：技術(shù)文章頻道）

服務(wù)器電源設(shè)計 2025-1-21 11:19

想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術(shù)！

想提高高壓LED照明中的效率和功率密度？上GaN技術(shù)！

作者：George Hempt文章概述本文介紹了寬帶隙（GaN）技術(shù)在高壓LED照明中的應(yīng)用，以及如何解決效率和功率密度挑戰(zhàn)。文章重點討論了利用GaN技術(shù)的LED驅(qū)動器架構(gòu)的降壓部分，展示了如何通過寬帶隙技術(shù)提高效率和功率密度。文中還介紹了STMicroelectronics的MasterGaN系列，該系列將高電壓智能... （來源：技術(shù)文章頻道）

LED照明 GaN GaN晶體管 2024-12-5 11:02

電磁隔離技術(shù)與控制需求同步發(fā)展

電磁隔離技術(shù)與控制需求同步發(fā)展

在汽車、工業(yè)和綠色能源領(lǐng)域的許多系統(tǒng)中，保護系統(tǒng)免受電壓浪涌和噪聲的影響至關(guān)重要。作者：Joachim Hausmann，東芝電子歐洲有限公司電子系統(tǒng)設(shè)計中存在兩種不同的趨勢，二者均支持電機的電子系統(tǒng)。一方面是向千伏級別發(fā)展的發(fā)電和電氣分配子系統(tǒng)。另一方面是高速MCU，能夠?qū)崿F(xiàn)先進算法以優(yōu)化系統(tǒng)性能... （來源：技術(shù)文章頻道）

電磁隔離技術(shù) 東芝電子 DCL54x01 MCU 2024-7-8 15:09

Qorvo E1B SiC模塊：成就高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的秘密武器

Qorvo E1B SiC模塊：成就高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的秘密武器

作者：Mike Zhu 來源：Qorvo半導(dǎo)體在功率轉(zhuǎn)換中，效率和功率密度至關(guān)重要。每一個造成能量損失的因素都會產(chǎn)生熱量，并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統(tǒng)來去除。軟開關(guān)技術(shù)與碳化硅（SiC）技術(shù)的結(jié)合為提升開關(guān)頻率提供了可能；從而能夠縮減暫存能量和用于平滑開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器輸出無源元件的尺寸及數(shù)量... （來源：技術(shù)文章頻道）

碳化硅功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) 2024-6-18 10:24

低功耗 GaN 在常見交流／直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢

低功耗 GaN 在常見交流／直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢

消費者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C® 充電器，越來越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。在設(shè)計現(xiàn)代消費級 USB Type-C 移動充電器、PC 電源和電視電源時，面臨的挑戰(zhàn)是如何在縮小解決方案尺寸的同時保持... （來源：技術(shù)文章頻道）

GaN 寬帶隙技術(shù) 電源適配器交流／直流電源拓?fù)?/a> 2024-1-17 11:22

利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機驅(qū)動性能

利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機驅(qū)動性能

作者：Nenad Belancic，Adam Gozdzicki電機驅(qū)動設(shè)計方面的技術(shù)進步為我們開啟了許多大門。例如在運動控制系統(tǒng)中，更高精度、效率和控制能力給用戶體驗性和安全性、資源優(yōu)化以及環(huán)境友好性等方面帶來了諸多好處。無刷電機技術(shù)的引入則是業(yè)界朝著全面提升效率邁出的重要一步。從有刷到無刷的轉(zhuǎn)換已經(jīng)有很... （來源：技術(shù)文章頻道）

電機驅(qū)動 GaN技術(shù) 2023-10-8 11:05

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時柵極電阻選型注意事項

作者： Vishay高級市場開發(fā)經(jīng)理Jorge Lugo，高級產(chǎn)品市場經(jīng)理Andrew Mason本文為大家介紹氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會被高di/dt和dv/dt放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認(rèn)真考慮柵極電阻的... （來源：技術(shù)文章頻道）

功率逆變器柵極電阻 2023-9-21 11:53

以更小封裝實現(xiàn)更大開關(guān)功率，Qorvo SiC FET如何做到的？

以更小封裝實現(xiàn)更大開關(guān)功率，Qorvo SiC FET如何做到的？

本文作者：David Schnaufer，Qorvo技術(shù)營銷傳播經(jīng)理每隔一段時間便會偶爾出現(xiàn)全新的半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)；當(dāng)這些技術(shù)進入市場時，便會產(chǎn)生巨大的影響。使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無疑已經(jīng)做到了這一點。與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方... （來源：技術(shù)文章頻道）

SiC FET 碳化硅氮化鎵 2023-9-4 10:17

在功率逆變器應(yīng)用中使用 WBG 半導(dǎo)體時選擇柵極電阻器的注意事項

在功率逆變器應(yīng)用中使用 WBG 半導(dǎo)體時選擇柵極電阻器的注意事項

如果設(shè)計需要出色功率效率的電子應(yīng)用，請考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)。與傳統(tǒng)的電子開關(guān)硅解決方案相比，這些新的寬帶隙技術(shù)具有顯著的優(yōu)勢。它們具有更小的物理芯片尺寸、卓越的導(dǎo)熱性和管理能力以及更低的開關(guān)損耗，非常適合空間受限的應(yīng)用，例如工業(yè)、醫(yī)療、電信和汽車應(yīng)用... （來源：技術(shù)文章頻道）

功率逆變器柵極電阻器 2023-8-4 10:45

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