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過去幾年,碳化硅 (SiC) MOSFET在功率電子領(lǐng)域迅速普及。同時,為了在汽車和電動車的三相逆變器中加強SiC的應用,SiC器件的電壓電流能力需要顯著提高。提高電壓等級需要提升SiC芯片本身的設(shè)計,而提高電流能力在大多數(shù)情況下則需要在單個功率模塊中并聯(lián)多個SiC芯片。模塊經(jīng)過精心設(shè)計,在高電流、散熱、... (來源:技術(shù)文章頻道)
SiC MOSFET模塊 柵極驅(qū)動 2022-8-19 13:38
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