本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外,還應注意測試波形的準確性。 1. 閾值電壓特性 SiC MOSFET的閾值電壓(VGS(th))通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓,... (來源:技術文章頻道)
SiC MOSFET 三菱電機 2025-3-28 11:10
三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET,并將其產品化,率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中,是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。通過使用SiC,可實現額定電壓3.3kV以上的高耐壓MOSFET。由于MOSFET是單極性器件,少數載流子不會積聚,所以能夠實現極低... (來源:技術文章頻道)
三菱電機 SiC芯片技術 2024-12-20 16:00
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索,本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。半導體器件是當今迅速發展的各類電力電子設備不可或缺的組成部分,是促進科技發展、社會進... (來源:技術文章頻道)
三菱電機 功率器件 IGBT 2024-7-29 10:13
作者:安森美公司換電與充電并存在電動車發展的過程當中,充電和換電是兩個同時存在的方案。車載充電OBC可以通過兩相或三相電給汽車充電,但其無法滿足快充的需求?,F在充電樁發展迅速,已經有600kW的超充出現,充電速度越來越逼近換電速度,但對電網壓力很大,還需要時間普及。換電則采取另外的方式,... (來源:技術文章頻道)
碳化硅模塊 換電站快充電路設計 安森美 2024-7-8 10:38
作者:Mike Zhu 來源:Qorvo半導體在功率轉換中,效率和功率密度至關重要。每一個造成能量損失的因素都會產生熱量,并需要通過昂貴且耗能的冷卻系統來去除。軟開關技術與碳化硅(SiC)技術的結合為提升開關頻率提供了可能;從而能夠縮減暫存能量和用于平滑開關模式轉換器輸出無源元件的尺寸及數量... (來源:技術文章頻道)
碳化硅功率轉換系統 2024-6-18 10:24
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環路電感(DC−Link loop inductance)和柵極環路電感(Gate loop inductance)對VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響,本文為第... (來源:技術文章頻道)
柵極環路電感 IGBT SiC 2024-4-2 10:37
近年來,隨著電動汽車、5G、新能源等市場的興起,減碳、能源效率和電氣化成為當今時代的口號。在這個過程中,對高頻、大功率器件及電力電子需求快速增長,硅(Si)基半導體的物理性能瓶頸凸顯,硅材料的潛力已逐漸被開發完善。那么,如何最大限度減少電源轉換損耗,如何在提升功率的同時限制體積、發熱... (來源:技術文章頻道)
SiC市場SiC器件 2024-1-29 11:06
近年來,新能源領域的光伏發電應用飛速發展,不但國內各種應用場景全面開花,在海外市場更是勢如破竹。這其中,光伏逆變器是整個系統的核心,它是負責將光伏組件采集的直流電轉換成交流電,以便輸入電網或供本地使用的關鍵設備。光伏發電的終端場景很多,適合于不同應用場景下的差異化需求,常見的光伏... (來源:解決方案頻道)
光伏逆變器儲能系統光伏發電 2023-10-27 09:42
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 類似上述的工業... (來源:新品頻道)
東芝 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊 MG250YD2YMS3 2023-8-29 15:34
三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品,該半橋模塊額定電壓為3.3kV,絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路、電力系統及大型工業變流系統提供更大功率密度、更高效率和可靠性。該產品正在PCIM Europe 2023(5月9-11日,德國紐倫堡)上展出。 3.3kV 集成SBD SiC-MO... (來源:新品頻道)
三菱電機 SiC-MOSFET模塊 2023-5-12 15:17