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現(xiàn)代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開(kāi)關(guān)晶體管速度越來(lái)越快，使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測(cè)技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過(guò)這一技術(shù)，設(shè)計(jì)人員終于能夠放心地測(cè)量以前回避的半橋和門驅(qū)動(dòng)器波形。通過(guò)詳細(xì)了解相關(guān)挑戰(zhàn)，并使用適當(dāng)?shù)奶綔y(cè)技術(shù)，電源工程師可以更... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）
寬禁帶材料半橋和門驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)晶體管 2020-9-1 17:14
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