由于人工智能、物聯網等新興技術推動芯片制程向更先進節點演進,半導體制造企業為滿足技術迭代需求,加大設備投入,市場在技術驅動下的長期增長韌性凸顯。 圖:全球&中國半導體設備市場規模(2025、2026年中國市場規模按34%占比計算) (數據來源:SEMI) 從全球半導體設備市場整體態... (來源:技術文章頻道)
半導體設備 2025-10-20 09:18
近期,中國科學院上海光學精密機械研究所與張江實驗室合作,在基于寬角非共線光參量啁啾脈沖放大系統(WNOPCPA)技術的原型機研制方面取得進展。 此前,超強超短激光裝置的發展,得益于啁啾脈沖放大技術和光參量啁啾脈沖放大技術。目前,廣泛建成的皮秒拍瓦激光主要基于釹玻璃為放大介質的啁啾脈沖放... (來源:技術文章頻道)
啁啾脈沖WNOPCPA 2025-9-25 10:20
在當前的AI浪潮下,新建一座晶圓廠到底需要多少錢? 今年3月,全球半導體代工巨頭臺積電(TSMC)宣布,將追加1,000億美元投資美國市場,用于在亞利桑那州鳳凰城新建三座先進制程晶圓廠、兩座先進封裝廠及一座研發中心,形成從制造到封測的完整鏈條,加上已在當地投資650億美元建設兩座晶圓廠使其在美... (來源:技術文章頻道)
AI 晶圓廠 2025-9-1 11:54
三維晶體管結構包括FinFET和GAA FET等,是半導體工藝演進中的關鍵性突破之一,其重要性在于解決了傳統平面晶體管在納米尺度下的物理極限問題,支撐了摩爾定律的延續。2011年,英特爾成功量產采用FinFET的處理器;2022年,三星電子成為全球首家在3納米工藝中量產采用GAA結構的邏輯半導體的公司;2025年,... (來源:技術文章頻道)
FinFETFlip FET三維晶體管 2025-7-31 11:31
引言 數字集成電路設計中,單元庫和IP庫宛如一塊塊精心打磨的“積木”,是數字IC設計的重要基礎。從標準單元庫(Standard Cell)、輸入輸出接口(I/O Interface)、存儲器單元(如 SRAM、ROM等),到大量數模混合 IP(如物理層接口 PHY、鎖相環 PLL 等)——這些模塊經過&ldquo... (來源:技術文章頻道)
Liberal數字IC全棧式K庫 2025-7-4 13:13
在半導體領域,隨著技術的不斷演進,對CMOS(互補金屬氧化物半導體)可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能(AI)、5G通信和高性能計算(HPC)等前沿技術的推動下,傳統的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術在CMOS可靠性測試中的應用,以及它如何助力這些新興技術的發展。引言對于研究... (來源:技術文章頻道)
CMOS 脈沖技術AI5G 2025-4-9 11:02
致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)AR1335圖像傳感器和恩智浦(NXP)i.MX 8M Plus處理器的機器視覺方案。 圖示1-大聯大友尚基于onsemi和NXP產品的機器視覺方案的展示板圖 隨著城市化進程的加速推進和科技發展的日新月異,智慧城市... (來源:技術文章頻道)
大聯大友尚集團onsemi NXP產品 機器視覺方案 2024-11-20 10:09
人工智能大模型的突然爆火,讓發電這個近200年的傳統產業意外再次引起關注:據業界數據顯示,僅ChatGPT每天就需要消耗超過50萬千瓦時電力,相當于1.7萬個美國家庭的用電量。而隨著生成式AI的廣泛應用,預計到2027年,整個人工智能行業每年將消耗85至134太瓦時(1太瓦時=10億千瓦時)的電力。如此高昂的... (來源:技術文章頻道)
存儲 兆易創新 2024-7-3 10:52
作者:泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Pradeep Nanja介紹半導體行業一直專注于使用先進的刻蝕設備和技術來實現圖形的微縮與先進技術的開發。隨著半導體器件尺寸縮減、工藝復雜程度提升,制造工藝中刻蝕工藝波動的影響將變得明顯。刻蝕終點探測用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒有剩余材... (來源:技術文章頻道)
泛林集團 刻蝕終點探測 SEMulator3D 2024-1-12 15:13
作者:半導體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點,后段器件集成將會遇到新的難題,比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差,并實現具有挑戰性的制造工藝,需要進行工藝調整。為應對這些挑戰,我們嘗試... (來源:技術文章頻道)
半大馬士革工藝流程 后段器件集成 2023-10-20 11:27