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共源共柵放大器工作原理當輸入信號加入晶體管的源極后，晶體管會對其進行放大，并將放大后的信號輸出到晶體管的漏極上。在共源共柵放大器中，場效應管的柵極和源極都與輸入信號電路相連，而漏極則與輸出電路相連。共源共柵放大器特點高輸入阻抗：由于共源極對輸入信號的阻抗很高，而共柵極則對輸出信號... （來源：技術文章頻道）
共源共柵放大器 2024-6-13 10:05
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續分享相關U... （來源：技術文章頻道）
功率MOSFETUIS(UIL) 2024-3-25 10:31
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 雪崩效應 安森美 2024-3-1 15:05
幫助imec確定使用半大馬士革集成和空氣間隙結構進行3nm后段集成的工藝假設 作者：泛林集團Semiverse™ Solution部門半導體工藝與整合工程師Assawer Soussou博士• 隨著芯片制造商向3nm及以下節點邁進，后段模塊處理迎來挑戰• 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電... （來源：技術文章頻道）
半大馬士革集成空氣間隙結構 2023-12-18 15:36
相信你們在設計電路中經常會碰到有時序要求的電路，比如說FPGA數字電路的供電，比如我們給模擬放大器的供電，等等。通常來說，我們有sequencers這種產品，其中又分為模擬時序控制芯片和數字時序控制芯片；模擬時序控制芯片，將電源輸出電壓作為輸入信號，實時監測電源輸出，當電源輸出達到閾值時，會給... （來源：技術文章頻道）
LDO的放大器 ADM1085 2023-10-25 11:32
作者：半導體工藝與整合 (SPI) 資深工程師 Assawer Soussou 博士1. 介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現具有挑戰性的制造工藝，需要進行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試... （來源：技術文章頻道）
半大馬士革工藝流程 后段器件集成 2023-10-20 11:27
智慧路燈智慧路燈是智慧城市的重要組成部分，傳統路燈僅承載著道路照明的任務，新一代的智慧路燈則對提高道路通行效率意義重大。ABI Research的預測顯示，全球對“智能燈桿”和“智能街道照明”技術的投資，將從2022年的108億美元增長至2030年的1,320億美元以上。透過數據我們可以看到，智慧城市對于智... （來源：技術文章頻道）
智能照明 智慧城市 智慧路燈 2023-6-5 14:05
光耦合器或光隔離器是一種電子器件，通過發射光穿過其輸入和輸出之間的電氣隔離柵來傳輸電子信號。光耦合器的主要目的是防止隔離柵一側的高電壓或電壓尖峰損壞組件或干擾傳輸到另一側的信號。市售光耦合器可以承受3 kV至10 kV的輸入-輸出電壓，以及速度高達10 kV/µs的電壓瞬變。該器件一般在一端... （來源：技術文章頻道）
NPN光電晶體管紅外LED光耦合器 2023-6-1 11:06
作者：Anshul Shah從航空航天和國防、天然氣勘探到制藥和醫療設備制造商等行業，對超高精度測量的需求不斷增加，這些測量可以實現大于 24 位的分辨率。例如，制藥行業使用高精度實驗室天平，在2.1 g滿量程范圍內提供0.0001 mg分辨率，這需要大于24位分辨率的模數轉換器（ADC）。這些高精度系統的校準和... （來源：技術文章頻道）
基準電壓源噪聲 2023-3-28 10:42
作者：Jeff Shepard為了進一步提高能效、安全性、生產力并降低總體成本，向工業 4.0 或工業物聯網 (IIoT) 的轉變仍在持續進行。此項工作的關鍵是設備連接。這可能很有挑戰性，因為需要選擇合適的通信標準并設計相關接口和軟件，所有這些都會減緩智能工廠的部署。工業自動化系統的設計人員需要一種... （來源：技術文章頻道）
IO－Link 智能工廠 致動器 2023-3-2 11:25
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