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PN連接二極管由p區域和N區組成，該區域由耗盡區域分離，該區域存儲了電荷。上一個教程中描述的效果是實現的，而沒有將任何外部電壓應用于實際的PN連接，從而導致連接處處于平衡狀態。但是，如果我們要在N型和P型材料的末端進行電氣連接，然后將它們連接到電池源，則現在存在一個額外的能源來克服潛在的... （來源：技術文章頻道）
PN連接二極管 2025-2-21 11:12
過電壓從何而來？ 罪魁禍首很清楚，很容易識別：它是寄生電感 L滲漏，在傳輸時間內不會通過續流二極管 D2 消磁。其中儲存的能量（1/2 升滲漏我2） 轉移到現有的寄生電容并在那里產生過電壓 （1/2 CparasiticV2 版本).如果沒有寄生電容，電壓將上升到無窮大。反激式轉換器中產生的 MOSFET 電壓（... （來源：技術文章頻道）
開關晶體管 2025-2-14 11:03
作者: 付斌今年年初，專注于垂直GaN器件的兩家公司NexGen和Odyssey接連破產倒閉、出售資產解散引發行業關注。那時候大家都有一個共同的疑問——垂直GaN到底行不行？昨日，Odyssey買家浮現，Power Integrations（PI）宣布收購與其達成協議，將收購Odyssey資產。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odys... （來源：新聞頻道）
GaN 寬禁帶半導體 功率半導體 2024-5-13 08:55
作者：Jens Wallmann工業和汽車開關轉換器和電機驅動器都需要體積小、效率高、電氣噪聲低的金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)。雙 MOSFET 方法有助于滿足這些要求。設計精良的雙 MOSFET 將兩個 MOSFET 置于在一個封裝內，減小了在印刷電路板 (PCB) 上的占用空間，降低了寄生電感并通過改善散熱性能，取... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 開關轉換器 2024-3-28 10:46
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續分享相關U... （來源：技術文章頻道）
功率MOSFETUIS(UIL) 2024-3-25 10:31
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安... （來源：技術文章頻道）
MOSFET 雪崩效應 安森美 2024-3-1 15:05
當 p 型半導體熔合到 n 型半導體時形成 PN 結二極管，從而在二極管結上產生勢壘電壓。 PN 結二極管由 p 區和 n 區組成，由存儲電荷的耗盡區隔開，如果我們將 N 型和 P 型材料的末端進行電氣連接，當他們連接到電源的時候，那么就要用其他的能源來克服壁壘，就說其他的能源要自由電子能從一... （來源：技術文章頻道）
PN結二極管 2023-7-10 10:23
在討論MOS晶體管時，短溝道器件中基本上有六種漏電流成分：• 反向偏置-pn結漏電流• 亞閾值漏電流• 漏極引起的勢壘降低• V滾降• 工作溫度的影響• 隧道進入和通過柵極氧化物漏電流• 熱載流子從襯底注入柵氧化層引起的漏電流• 由于柵極引起的漏極降低 (G... （來源：技術文章頻道）
MOS管漏電流 2023-4-13 10:24
齊納擊穿效應:齊納擊穿效應是二極管得名的原因。它是量子力學效應隧穿效應，但當應用于電壓基準二極管時，它以發現它的人的名字保留了齊納的名字。在大多數情況下，電子包含在晶格中的原子內。在這種狀態下，它們處于所謂的價帶中。如果在半導體上放置一個大電場，這可能足以將電子拉出原子進入所謂的導... （來源：技術文章頻道）
齊納二極管 2022-12-13 09:24
半導體行業正在經歷一場復興，人工智能、5G、自動駕駛、超大規模計算和工業物聯網等市場的強勁增長，需要芯片具備更強的算力、更多的功能、更快的數據傳輸速度，且更加智能，這一趨勢永無止境。但面對當前動輒數百億顆晶體管的芯片規模，設計芯片面臨的挑戰正變得更加巨大且不可預測。其中，又以電源完... （來源：新聞頻道）
數字全流程方案 工藝設計 2022-9-28 14:10
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