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4D閃存+176層，SK Hynix做到了

繼美光之后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512GB/64GB，TLC。SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時(shí)集成了PUC技術(shù)。公司將樣品提供給controller公司去制作解決方案產(chǎn)品海力士一直在推廣96層NAND Flash產(chǎn)品中的4D技術(shù)，該產(chǎn)品將電荷阱閃存(CTF)與高...
SKHynixNAND 2021-01-05

閃存顆粒的封裝形式介紹

存儲(chǔ)技術(shù) 閃存顆粒有TSOP和BGA兩種封裝形式，前者在顆粒兩側(cè)各有一排引腳，后者則在芯片底部有大量的信號(hào)觸點(diǎn)。它們二者有何區(qū)別？　　電腦老玩家們應(yīng)該還記得第一代DDR內(nèi)存以及更早的SDRAM內(nèi)存條，當(dāng)時(shí)內(nèi)存顆粒也普通使用TSOP封裝。下圖是一條筆記本SDRAM內(nèi)存條，工作頻...
閃存顆粒封裝形式BGA 2020-09-01

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