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寬禁帶材料實現了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿,從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作,降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。 安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統,包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極... (來源:技術文章頻道)
寬禁帶生態系統快速開關介電擊穿 2020-7-17 16:09
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