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在半導體領域，隨著技術的不斷演進，對CMOS（互補金屬氧化物半導體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計算（HPC）等前沿技術的推動下，傳統的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術在CMOS可靠性測試中的應用，以及它如何助力這些新興技術的發展。引言對于研究... （來源：技術文章頻道）
CMOS 脈沖技術AI5G 2025-4-9 11:02
由香港大學（港大）工程學院電機及電子工程學系的褚智勤副教授與機械工程系林原教授，聯合南方科技大學深港微電子系李攜曦助理教授及北京大學東莞光電研究院王琦教授的研究團隊，成功開發突破性的方法，可大量制造超薄、超柔韌的鉆石（金剛石）膜。 這些薄膜與現有的半導體制造技術兼容，原則上可以制成... （來源：新聞頻道）
金剛石膜 2024-12-24 09:10
與普通產品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產品陣容中已經擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設備應用的“... （來源：新品頻道）
ROHM 車載充電器（OBC） SiC肖特基勢壘二極管 SCS2xxxNHR 2024-11-13 09:40
在半導體領域，電源管理是一個很“卷”的市場，這是不爭的事實。一方面，眾多半導體廠商都在追求更高的效率、更緊湊的封裝、更高的能量密度之路上狂奔，力求打造出更為“極致”的產品；而另一方面，傳統硅（Si）基器件，已經越來越接近性能的天花板，從其身上可以榨取的附加值也越來越少。在這樣的大背... （來源：技術文章頻道）
電源管理SiC技術 Nexperia 2024-9-5 10:35
GaN 是一種二元化合物，由一個鎵原子（III 族，Z = 31）和一個氮原子（V 族，Z = 7）組成，具有纖鋅礦六方結構。鎵原子和氮原子通過非常強的離子化學鍵結合在一起，從而產生很大的能帶隙。這一特性使 GaN 非常穩定，非常適合在高溫和惡劣環境下工作。用這種技術制造的晶體管（通常具有橫向結構）稱為高... （來源：技術文章頻道）
GaN 晶體管 2024-6-26 09:57
作者: 付斌今年年初，專注于垂直GaN器件的兩家公司NexGen和Odyssey接連破產倒閉、出售資產解散引發行業關注。那時候大家都有一個共同的疑問——垂直GaN到底行不行？昨日，Odyssey買家浮現，Power Integrations（PI）宣布收購與其達成協議，將收購Odyssey資產。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odys... （來源：新聞頻道）
GaN 寬禁帶半導體 功率半導體 2024-5-13 08:55
上周我們為大家講解了安規電容的優點及其分類，今天我們將繼續深入探討如何選擇合適的安規電容。選擇安規電容 - 陶瓷還是薄膜？多層陶瓷1電容（MLCC）和塑料薄膜電容是安規電容的兩種常見類型。根據具體應用的不同，這兩種類型各有優勢。在具體挑選時需要考慮以下一些特性：. 溫度范圍. 尺寸限制. 額定... （來源：技術文章頻道）
電力電子設備 安規電容 2024-2-6 10:31
在非常小的晶體管中，柵極氧化物可能只有幾個原子厚。雖然這使得器件小型化，但也會由于電流隧道效應而導致泄漏。此外，隨著設備老化，這種不理想的情況會變得更糟，因為氧化物會磨損。結果，閾值電壓發生變化，這進一步增加了柵極泄漏。這種效應更顯著的影響是晶體管失配或高漏電流會導致電路故障。氧... （來源：技術文章頻道）
MOS晶體管 2023-12-5 10:17
每個芯片上更多器件和更快時鐘速度的不斷發展，推動了幾何形狀縮小、新材料和新技術的發展。由于更脆弱、功率密度更高、器件更復雜和新的失效機制，所有這些因素都對單個器件的壽命和可靠性產生了巨大的影響，曾經壽命為100年的器件的生產工藝現在可能只有10年的壽命，這與使用這些器件的預期工作壽命非... （來源：技術文章頻道）
泰克4200A－SCS晶圓級可靠性測試 2023-10-25 11:50
《建筑節能與可再生能源利用通用規范》于2022年4月1日起開始實施，其中明確：新建建筑應安裝太陽能系統，其中的集熱器設計使用壽命應高于15年，光伏組件設計使用壽命應高于25年。在世界范圍內，也有越來越多的國家開始強制要求新住宅安裝太陽能系統。太陽能市場預計在未來十年內將出現驚人的增長也就不... （來源：解決方案頻道）
硅基碳化硅太陽能系統 2023-8-31 15:36
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