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雙運放電流源的基本操作

合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSFET 的性能指標（左）進行平衡...
雙運放電流源SiC MOSFET 2023-12-28

高性能 SiC MOSFET 技術裝置設計理念

合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSFET 的性能指標（左）進...
SiC MOSFET 技術MOSFET 器件 2023-08-09

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