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↓在 技術文章 中搜索到 80 條關于“FinFET??”的信息，用時:0.002 sec.

用于物聯網連接的交鑰匙嵌入式通信系統

Franz Dugand, 無線物聯網產品營銷高級總監, Ceva 任何個人音頻或家居自動化產品中，無線連接都是不可或缺的核心功能，通常通過多種協議來實現，比如藍牙、Zigbee、Thread 和 Matter。然而，它的挑戰在于，市場上競爭性產品需要實現非常緊密的集成，即通信系統必須與產品的其他功能一起嵌入到整體設...
物聯網連接交鑰匙嵌入式通信系統 2025-03-07

大聯大友尚集團推出基于onsemi和NXP產品的機器視覺方案

致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）AR1335圖像傳感器和恩智浦（NXP）i.MX 8M Plus處理器的機器視覺方案。圖示1-大聯大友尚基于onsemi和NXP產品的機器視覺方案的展示板圖隨著城市化進程的加速推進和科技發展的日新月異，智慧城市...
大聯大友尚集團onsemiNXP產品機器視覺方案 2024-11-20

“環抱”晶體管與“三明治”布線

在半導體制程技術的前沿，英特爾正穩步推進其“四年五個制程節點”計劃，加速實現在2025年推出尖端的制程節點Intel 18A。今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節點，也將用于Intel 18A。RibbonFET：柵極“...
晶體管Intel－18A英特爾RibbonFET 2024-09-13

如何利用低功耗設計技術實現超大規模集成電路（VLSI）的電源完整性？

本文要點• 超大規模集成電路 (Very large scale integration，VLSI) 是一種主流的集成電路 (IC) 設計模式。• 芯片尺寸微型化有助于降低單個晶體管的功耗，但同時也提高了功率密度。• 先進封裝的低功耗設計趨勢勢頭未減，而更新的技術有助于在不犧牲計算性能的情況下降低器件的功耗。...
VLSICadence集成電路電源完整性 2024-09-06

降低半導體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術

摘要：使用SEMulator3D®可視性沉積和刻蝕功能研究金屬線制造工藝，實現電阻的大幅降低封面圖：正文：作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應用工程師 Timothy Yang 博士01 介紹銅的電阻率由其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配決定，并隨尺寸縮小而顯著提升。通常，銅線的制作流程是...
半導體金屬線電阻沉積和刻蝕技術 2024-08-15

新一代4D成像雷達性能出眾，價格合理

作者：Huanyu Gu 現在，OEM和一級供應商可以更輕松地獲取價格合理且性能可靠的成像雷達傳感器技術。恩智浦和賽恩領動聯合開發的入門級量產4D成像雷達為這項技術提供了有力證明。雷達在現代汽車的功能安全中至關重要。近年來，汽車雷達市場一直需要平衡性能和成本的入門級汽車成像雷達解決方案。全球...
4D成像雷達雷達傳感器技術 2024-03-20

LPDDR5X來襲！準備迎接內存速度大爆炸！

無論是切換智能手機應用程序，還是享受沉浸式游戲體驗，都有可能遇到系統內存訪問速度慢的問題。如果汽車的自動制動系統不能及時響應前方道路上的障礙物，問題是很嚴重的。如今，智能、互聯和帶寬密集型應用依賴于超快、低延遲的內存訪問，以實現我們日常生活所依賴的一系列功能。那么，什么樣的技術能...
LPDDR5X內存新思科技 2023-12-20

使用虛擬實驗設計預測先進FinFET技術的工藝窗口和器件性能

作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合 (SPI) 高級工程師王青鵬博士負載效應 (loading) 的控制對良率和器件性能有重大影響，并且它會隨著 FinFET（鰭式場效應晶體管）器件工藝的持續微縮變得越來越重要[1-2]。當晶圓的局部刻蝕速率取決于現有特征尺寸和局部圖形密度時，就會發生負載效應...
FinFET技術虛擬實驗設計 2023-01-13

5nm及更先進節點上FinFET的未來：使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

作者：Coventor（泛林集團旗下公司）半導體工藝與整合工程師Assawer Soussou博士雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高的晶體管性能變得更具挑戰。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合...
FinFET平臺電路仿真5nm晶體管 2022-05-05

Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結構將取代FinFET

作者：泛林Nerissa Draeger博士FinFET在22nm節點的首次商業化為晶體管——芯片“大腦”內的微型開關——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術節點面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經趨于極限。晶體管縮放的難題...
FinFET晶體管 2021-01-25

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