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↓在 技術文章 中搜索到 20 條關于“GAA”的信息，用時:0.002 sec.

“環抱”晶體管與“三明治”布線

在半導體制程技術的前沿，英特爾正穩步推進其“四年五個制程節點”計劃，加速實現在2025年推出尖端的制程節點Intel 18A。今天，我們將介紹英特爾的兩項突破性技術：RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。這兩項技術首次成功集成于Intel 20A制程節點，也將用于Intel 18A。RibbonFET：柵極“...
晶體管Intel－18A英特爾RibbonFET 2024-09-13

既要支持5G 頻帶又要支持傳統頻帶？你需要一個這樣的天線！

作者： Bill Schweber 本文以 Abracon LLC 的說明性單元為代表，探討了服務于低頻帶 5G 頻譜以及傳統頻帶的寬帶天線。文中展示了如何使用這種類型的天線（無論是看得見的外置單元還是內置的嵌入式單元）來簡化設計和物料清單 (BOM)，以及在需要時加快到 5G 的升級安裝。除了隨處可...
5G頻帶天線 2024-07-02

晶體管的第一個76年：變小了，卻變大了？

1947年，當John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時，他們未曾想到，晶體管如今會成為電子產品的最重要組成部分。晶體管被譽為20世紀最偉大的發明之一，它改進了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，為電子設備的發展奠定了基礎，也為人們帶來了便捷高...
CMOS晶體管芯片設計 2023-06-20

3D時代值得關注的趨勢

作者：泛林集團公司副總裁兼電介質原子層沉積產品總經理 Aaron Fellis隨著電子設備精密化，人們愈發要求半導體技術能以更低的成本實現更優的性能和更大的容量。這些趨勢推動了半導體技術的重大進步，在過去十年中2D NAND逐漸過渡到3D NAND。邏輯領域的3D過渡也已經開始，FinFET（鰭式場效應晶體管）技術...
3D NANDGAA晶體管存儲器 (DRAM) 2023-06-02

私有5G網絡悄然興起，你準備好了嗎？

圖源：katemangostar/freepik.com 無線網絡打開了高速數據傳輸的大門，其中包括商業運營商的3G、4G和5G服務以及諸如藍牙和Wi-Fi等更多私有網絡。無線技術的進步如此之大，以至于數據消費者普遍期望和需要高分辨率的流視頻。從個人使用到私有用途，再到商業、政府甚至軍事用途，無線協議和傳輸/接收系統...
5G網絡無線網絡 2022-12-29

巔峰對決：三大頂流半導體廠商高端工藝逐鹿，你更看好誰？

圖源：H_Ko/AdobeStock 集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續以相對低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達到理論、實踐和經濟極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長的技術和晶圓廠制造規程緊密相連。在代工行業，采用先進的工藝節點更能帶來明顯的成本競爭優勢。2020年...
GAA芯片技術CMOS工藝 2022-11-28

SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術

作者：泛林集團公司副總裁兼電介質原子層沉積產品總經理 Aaron Fellis 芯片已經無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新換代都在變得更快速、更智能、更強大。創建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現...
SPARCDRAM沉積技術 2022-10-09

GAAFET，是什么技術？

作者：劉松，美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環繞柵極場效應晶體管）？數字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發展到7nm、3nm、2nm，這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面...
GAAFETMOSFET 2022-08-22

如何抑制GAA寄生溝道？微電子所給出方案

作為GAA制造流程的一環，子鰭可能引發寄生溝道效應等副作用，導致GAA晶體管的器件性能下降。為此，中科院微電子所先導工藝研發中心團隊開發了縮窄子鰭的工藝改進方案，可有效改善寄生溝道帶來的電特性衰減，有望應用于亞3nm先進制造工藝節點。研究背景與傳統平面器件相比，3D FinFET器件具...
GAA晶體管GaA 2021-12-08

GAA FET將為2nm、3nm發展鋪平道路

一些晶圓代工廠仍在基于下一代全能柵極晶體管開發新工藝，包括更先進的高遷移率版本，但是將這些技術投入生產將是困難且昂貴的。英特爾、三星、臺積電和其他公司正在為從今天的FinFET晶體管向3nm和2nm節點的新型全柵場效應晶體管（GAA FET）過渡奠定基礎，這種過渡將從明年或2023年開始。 GAA FET...
GAAFET柵極晶體管 2021-02-22

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