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精準(zhǔn)指向的藝術(shù)：真時(shí)延技術(shù)深度解析

相控陣天線通過移相器、真時(shí)延或二者的組合，使合成波束更精確地指向陣列轉(zhuǎn)向角度內(nèi)的所需方向。本文將介紹這兩種方法，以及更寬帶寬的天線陣列是如何推動(dòng)真時(shí)延在其系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用。指向正確的方向相控陣天線無需物理移動(dòng)天線即可改變輻射波束的形狀和方向。這些天線通過獨(dú)特的排列方式組成一個(gè)更大...
相控陣天線Qorvo 2025-03-28

二極管（6）為什么LED能發(fā)光，但是普通二極管不行

作者：朱曉明LED是被稱為"發(fā)光二極管"的半導(dǎo)體名稱取自"Light Emitting Diode" 的首字母。1993年基于氮化鎵制造出的高亮度藍(lán)色LED實(shí)現(xiàn)商用化，隨之制造出白色LED，該白色LED作為第4照明光源備受注目。發(fā)光二極管（英語：light-emitting diode，LED）是一種半導(dǎo)體光源，當(dāng)電流通過它時(shí)會(huì)發(fā)光；即一...
二極管LED 2024-09-04

單級小信號(hào) RF 放大器設(shè)計(jì)

本文要點(diǎn)：• 小信號(hào) RF 放大器的用途。• 用于小信號(hào) RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。• 單級小信號(hào) RF 放大器的設(shè)計(jì)步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號(hào)。基本的放大器電路由雙極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管...
RF放大器Cadence 2024-08-29

怎樣制氫？氫能制取方法有哪些？

綠氫替代趨勢逐漸顯現(xiàn) 氫氣作為二次能源，需要通過能量轉(zhuǎn)化過程從煤、烴類和水等物質(zhì)中提取。氫氣制備途徑多樣，根據(jù)氫氣制取過程中的碳排放量不同可以分為“灰氫”、“藍(lán)氫”和“綠氫”。 “灰氫”指通過煤炭、石油、天然氣等化石能源的重整制氫，和以...
電解水制氫太陽能光解水制氫生物質(zhì)制氫 2024-04-26

一文詳解發(fā)光二極管

發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種半導(dǎo)體器件，具有將電能轉(zhuǎn)化為光能的特性。下面是關(guān)于發(fā)光二極管的詳細(xì)解釋：結(jié)構(gòu)與原理：結(jié)構(gòu)：LED由兩種半導(dǎo)體材料構(gòu)成，通常是一種P型半導(dǎo)體和一種N型半導(dǎo)體，它們通過PN結(jié)相連。原理：LED的發(fā)光原理是通過載流子在PN結(jié)內(nèi)復(fù)合而產(chǎn)生的能量釋放。當(dāng)電流...
發(fā)光二極管 2024-04-24

GaAs 二極管在高性能功率轉(zhuǎn)換中的作用

高壓硅二極管具有較低的正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會(huì)在功率轉(zhuǎn)換器中產(chǎn)生顯著的動(dòng)態(tài)損耗。SiC 二極管表現(xiàn)出可忽略不計(jì)的反向恢復(fù)行為，但確實(shí)表現(xiàn)出比硅更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)壓降。由于 GaAs 技術(shù)能夠提供硅和 SiC 的有用特性，本文探討了一項(xiàng)比較 10kW、100kHz 相移全橋 (PSFB) 性能...
GaAs二極管功率轉(zhuǎn)換 2024-03-22

新型 GaAs 功率肖特基二極管的電氣行為

通常，硅雙極二極管用于轉(zhuǎn)換器中。它們的反向恢復(fù)會(huì)在硬開關(guān)電路中的二極管和相應(yīng)晶體管中產(chǎn)生損耗 [1]；此外，它也可能是軟開關(guān)電路的限制因素[2]。我們付出了一些努力來優(yōu)化硅雙極二極管的行為 [3]，但不能超過物理極限。本節(jié)簡要介紹了所用芯片的技術(shù)以及封裝中新芯片的組成部分。因此，它為理解本文...
GaAs 功率肖特基二極管 2023-10-12

允許更高的功率密度的GaAs肖特基二極管

當(dāng)討論諸如開關(guān)模式電源（SMPS）或功率因數(shù)校正（PFC）之類的高功率密度和高頻應(yīng)用時(shí)，已知硅雙極二極管由于其反向恢復(fù)行為和由此產(chǎn)生的開關(guān)損耗而限制了這些系統(tǒng)的效率。因此，優(yōu)選帶隙較高的材料，例如碳化硅（SiC）或砷化鎵（GaAs）。到目前為止，GaAs功率器件主要在300 V以下使用，而PFC等600 V應(yīng)用...
開關(guān)模式電源GaAs肖特基二極管 2021-07-30

利用GaAs LNA和GaN PA進(jìn)行無線設(shè)計(jì)應(yīng)牢記的幾大事項(xiàng)

對性能、微型化和更高頻率運(yùn)行的推動(dòng)正在挑戰(zhàn)無線系統(tǒng)的兩個(gè)關(guān)鍵天線連接元器件的限制：功率放大器(PA) 和低噪聲放大器(LNA)。使5G 成為現(xiàn)實(shí)的努力，以及PA 和LNA 在VSAT 端子、微波無線電鏈路和相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中的使用促成了這種轉(zhuǎn)變。這些應(yīng)用的要求包括較低噪聲（對于LNA）和較高能效（對...
無線設(shè)計(jì)功率放大器(PA)低噪聲放大器 2021-05-26

基于GaAs PIN研制寬帶大功率單片單刀雙擲開關(guān)

PIN 二極管廣泛應(yīng)用于限幅器、開關(guān)、衰減器、移相器等控制電路中。與 MESFET 和 PHEMT 器件相比較，PIN 二極管具有插入損耗低、截止頻率高、功率容量大的特點(diǎn)，特別適合于制作性能優(yōu)異的寬帶大功率控制電路。文獻(xiàn)[1]就是采用 GaAs PIN 二極管制作了一款寬帶大功率單刀雙擲開關(guān)，但由于是混合...
mesfet控制電路衰減器 2020-02-17

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