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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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使用 USB－C 充電控制器，無(wú)需固件即可迅速實(shí)現(xiàn)快速充電

作者：Stephen Evanczuk更大的顯示屏、更強(qiáng)的性能和更高的數(shù)據(jù)吞吐量是 5G 智能手機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)，它推動(dòng)了對(duì)更大電池容量和快速充電能力的需求。如何突破傳統(tǒng)的充電方式是設(shè)計(jì)者面臨的挑戰(zhàn)，因?yàn)閭鹘y(tǒng)充電方式效率低下，而消費(fèi)者對(duì)快速充電的期望又越來(lái)越高，所以在滿足這一需求的功率水平下就可能會(huì)導(dǎo)致...
USB－C充電控制器快速充電 2022-03-21

應(yīng)用于超高密度USB－C PD 3.0的有源鉗位反激

諸如USB-C PD 3.0 100 W可編程電源（PPS）等新興應(yīng)用推動(dòng)了對(duì)更小巧，更緊湊的開(kāi)關(guān)電源（SMPS）外形尺寸的需求。如圖1所示，提高開(kāi)關(guān)頻率可以減小變壓器體積，但是更高的開(kāi)關(guān)頻率則會(huì)增加功耗，從而需要不斷發(fā)展的反激式架構(gòu)。〜100 kHz的固定頻率/多模式反激式開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)SMPS適配器較大變壓器...
USB－C開(kāi)關(guān)電源（SMPS）低功率AC－DC轉(zhuǎn)換器 2021-02-24

如何設(shè)計(jì)出更高能效的太陽(yáng)能、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)充電樁和服務(wù)器等應(yīng)用

太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、儲(chǔ)能、不間斷電源(UPS)等能源基礎(chǔ)設(shè)施，工業(yè)控制、人機(jī)接口、機(jī)器視覺(jué)等自動(dòng)化控制，工業(yè)伺服、變頻驅(qū)動(dòng)、暖通空調(diào)(HVAC)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及機(jī)器人和電動(dòng)工具等工業(yè)細(xì)分領(lǐng)域是當(dāng)前市場(chǎng)的熱門(mén)應(yīng)用。在設(shè)計(jì)這些應(yīng)用時(shí)，工程師都要求更高能效、功率密度和可靠性。作為全球第二大功率...
太陽(yáng)能工業(yè)驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)充電樁 2020-11-02

GaN 器件應(yīng)該如何驅(qū)動(dòng)？

氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但 GaN 器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門(mén)極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題，給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案，解決設(shè)計(jì)過(guò)程的風(fēng)險(xiǎn)?！　? 正文氮化鎵(GaN...
GaN 器件硅開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路 2019-11-26

用過(guò)GaN開(kāi)關(guān)，其它硅開(kāi)關(guān)簡(jiǎn)直弱爆了！

作者：安森美半導(dǎo)體策略營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Yong Ang 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門(mén)極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題，給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案，解決設(shè)...
GaN開(kāi)關(guān)硅開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器 2019-11-25

為增強(qiáng)型GaN功率晶體管匹配門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

　　氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門(mén)極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題，給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案，解決設(shè)計(jì)過(guò)程的風(fēng)險(xiǎn)。　　正文　　氮化鎵(GaN...
GaN功率晶體管硅開(kāi)關(guān) 2019-11-11

為增強(qiáng)型GaN功率晶體管匹配門(mén)極驅(qū)動(dòng)器

作者：安森美半導(dǎo)體策略營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Yong Ang 摘要氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門(mén)極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。本文著眼于這些問(wèn)題，給出一個(gè)驅(qū)動(dòng)器方案...
GaN功率晶體管門(mén)極驅(qū)動(dòng)器 2019-11-06

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