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NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。 本設計文檔其余部分... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵 GaN PCB設計 柵極驅動器 2023-2-23 14:25
作者：Jeff Shepard高功率因數 (PF) 和高效率是服務器、網絡、5G電信、工業系統、電動汽車和其他一系列應用中所用 AC-DC 電源的關鍵要求。然而，電源設計者面臨的挑戰是如何同時滿足 IEC 61000-3-2 等標準的 PF 和電磁兼容性 (EMC) 要求，以及能源之星最新的 80 PLUS Titanium 效率標準。后者要求在 10... （來源：技術文章頻道）
無橋圖騰柱 功率因數 2022-11-4 11:35
2021年6月16日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美半導體（ON Semiconductor）NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver的小型工業電源供應器方案。 圖示1-大聯大世平推出基于ON Semiconductor產品的小型工業電源供應器方案的展示板圖 ... （來源：技術文章頻道）
ON Semiconductor產品小型工業電源供應器 2021-6-16 13:42
GaN有許多性能優勢，包括遠高于硅的電子遷移率(3.4eV對比1.1eV)，這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注意的是，GaN的門極電荷(QG)較低，并且由于必須在每個開關周期內對其進行補充，因此GaN能夠以高達1 MHz的頻率工作，效率不會降低，而硅則難以達到100 kHz以上。此外，與硅不同，GaN沒... （來源：技術文章頻道）
GaN電源設計電壓 2020-3-23 15:15
作者：安森美半導體策略營銷總監Yong Ang 在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。 對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。GaN器件與... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵電源設計寬禁帶技術 2020-3-16 09:41
作者：安森美半導體策略營銷總監Yong Ang在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。 GaN器件與硅器件... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵(GaN) GaN電源開關 2020-1-20 09:27
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但 GaN 器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設計過程的風險。 正文 氮化鎵(GaN... （來源：技術文章頻道）
GaN 器件硅開關驅動電路 2019-11-26 13:59
作者：安森美半導體策略營銷總監Yong Ang 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設... （來源：技術文章頻道）
GaN開關硅開關電源轉換器 2019-11-25 11:26
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案，解決設計過程的風險。 正文 氮化鎵(GaN... （來源：技術文章頻道）
GaN功率晶體管硅開關 2019-11-11 10:13
作者：安森美半導體策略營銷總監Yong Ang 摘要 氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅動器方案... （來源：技術文章頻道）
GaN功率晶體管門極驅動器 2019-11-6 16:06
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