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PowiGaN在輕載和滿載時均實現95%高效率，滿足關鍵的運行和安全功能需求 澳大利亞達爾文及美國加州圣何塞，2025年8月22日訊 –Power Integrations推出一款專為太陽能賽車量身定制的參考設計套件。與此同時，37支學生隊伍已整裝待發，將參加于8月24日開始的普利司通世界太陽能挑戰賽，穿越澳洲內... （來源：新聞頻道）
PIInnoSwitch3 2025-8-27 17:52
PowiGaN在輕載和滿載時均實現95%高效率，滿足關鍵的運行和安全功能需求 Power Integrations推出一款專為太陽能賽車量身定制的參考設計套件。與此同時，37支學生隊伍已整裝待發，將參加于8月24日開始的普利司通世界太陽能挑戰賽，穿越澳洲內陸地區。 該套件型號為RDK-85SLR，采用了PI™公... （來源：新品頻道）
Power Integrations太陽能氮化鎵設計套件 2025-8-22 15:30
單器件雙向控制，開啟無限可能 作者：Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對：宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業務大中華區技術市場總監 電力電子技術在過去幾十年間經歷了巨... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵開關電力電子 2025-7-10 13:13
作者：Frederik Dostal，電源管理主題專家 摘要 本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice®作為合適的工具鏈來使用，以... （來源：技術文章頻道）
開關電源氮化鎵 2025-6-9 13:13
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。 應用背景 近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢... （來源：新品頻道）
納芯微NSD2622N 2025-6-5 12:43
InnoSwitch4-QR反激式開關IC產品系列可顯著提高功率高達220W的反激式功率變換器的效率，尤其是在需要小尺寸的應用中。一份新的設計范例報告(DER-1038)展示了InnoSwitch4-QR IC在薄型100W驅動板中的優勢，該驅動板適用于工業、商業和住宅高壓輸入應用（196VAC至308VAC）中使用的LED燈條和線性燈具。這款... （來源：新品頻道）
InnoSwitch4－QRLED驅動器 2025-3-31 10:21
作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 在開關模式電源中使用GaN開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關模式電源中的未來前景。 如今，電源管理設計工程師常常會問... （來源：技術文章頻道）
開關模式電源GaN開關 2025-3-19 14:00
在開關模式電源中使用GaN開關是一種相對較新的技術。這種技術有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術的準備情況，提到了所面臨的挑戰，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關模式電源中的未來前景。如今，電源管理設計工程師常常會問道：現在應該從硅基功率開關轉向GaN開關了嗎？ 氮化... （來源：技術文章頻道）
硅基功率開關GaN開關 2025-2-28 10:23
作者：Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監校對：宋清亮 英飛凌科技消費、計算與通訊業務大中華區高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩步增長，并且預計這一趨勢還將持續。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球... （來源：技術文章頻道）
GaN技術可再生能源 2024-12-23 13:01
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三... （來源：技術文章頻道）
GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25
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