Innoscience 和其他公司已經超越了標準的可靠性和生產測試來強調部件失效,推斷出可以估計 1 ppm 故障率壽命的壽命曲線。動態導通電阻 (R DS(on) ) 作為 GaN 在開關應用中可能的故障模式而被廣泛討論,并且可以被視為材料缺陷的征兆。Innoscience通過多項工藝改進解決了這個問題。控制 e-mod... (來源:技術文章頻道)
SiC GaN 功率器件 2023-5-29 10:51