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使用 GaN IC 離線(xiàn)電源的大容量電容器優(yōu)化

額定功率75W以下的適配器可細(xì)分為：輸入濾波器、二極管整流器、輸入輸出電容器、IC控制器、輔助電源、磁性元件、功率器件和散熱器。集成解決方案在縮小和簡(jiǎn)化轉(zhuǎn)換器方面已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，目前的剩余組件是磁性元件、輸入“大容量”電容器、輸出電容器和 EMI 輸入級(jí)。大量的研究和工程工作集中在高... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

GaN IC 離線(xiàn)電源電容器 2024-4-28 10:05

巧用這三個(gè)GaN 器件輕松搞定緊湊型電源設(shè)計(jì)

作者：Jeff Shepard，緊湊型 100 瓦電源的應(yīng)用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能儀表和工業(yè)系統(tǒng)等。對(duì)于這些離線(xiàn)反激式電源的設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時(shí)繼續(xù)降低成本，提高效率，... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

GaN 電源設(shè)計(jì) 氮化鎵 2023-11-2 10:46

補(bǔ)償 EMI 濾波器 X 電容對(duì)有源 PFC 功率因數(shù)的影響

現(xiàn)代開(kāi)關(guān)模式電源使用 X 電容器和 Y 電容器與電感器的組合來(lái)過(guò)濾共模和差模 EMI。濾波器元件位于任何有源（或無(wú)源）功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的前面（圖 1），因此 EMI 濾波器的電抗對(duì)功率因數(shù) (PF) 造成的任何失真都會(huì)改變甚至完美的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路。修正了電壓-電流關(guān)系。典型 PFC 225W... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

EMI 濾波器有源 PFC 功率因數(shù) 2023-7-5 10:48

設(shè)計(jì)基于 GaN 的電源系統(tǒng)的更簡(jiǎn)單方法：比較市場(chǎng)上的集成驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品

作者：Vito Prezioso 電源專(zhuān)家現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師，富昌電子（北歐）氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 為電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)令人興奮的新選擇。與硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他們能夠顯著降低開(kāi)關(guān)損耗并提高電源效率，并支持更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而減小系統(tǒng)尺寸和重量。... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

GaN 電源系統(tǒng) 集成驅(qū)動(dòng)器 2023-3-28 10:50

從實(shí)際應(yīng)用中吸取經(jīng)驗(yàn)：如何驅(qū)動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體器件的柵極

作者：Riccardo Collura，EMEA 垂直部門(mén)經(jīng)理（電源），富昌電子為硅 MOSFET 或 IGBT 設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，工程師總是必須對(duì)長(zhǎng)期的成本/性能權(quán)衡做出精確判斷。設(shè)計(jì)人員對(duì)所選開(kāi)關(guān)的特定特性的理解有助于做出決策，例如是使用隔離式驅(qū)動(dòng)器還是非隔離式驅(qū)動(dòng)器，以及應(yīng)用中可接受的最... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

寬帶隙(WBG) 柵極驅(qū)動(dòng)電路隔離式驅(qū)動(dòng)器 2022-9-2 11:31

LLC還是反激拓?fù)洌客耆Q于終端需求

作者：Aditya Kulkarni，Power Integrations高級(jí)產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理許多高效率電源在設(shè)計(jì)時(shí)可以使用有源鉗位反激(ACF)變換器或LLC開(kāi)關(guān)IC來(lái)實(shí)現(xiàn)其設(shè)計(jì)目標(biāo)。在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，究竟應(yīng)該選擇哪一種呢？一些設(shè)計(jì)工程師會(huì)根據(jù)個(gè)人偏好、熟悉程度以及在某些特別應(yīng)用當(dāng)中過(guò)去常用的歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)做出相應(yīng)的選擇。然而，當(dāng)面... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

LLC 反激拓?fù)?/a> 反激式控制器IC 2022-7-20 09:51

經(jīng)濟(jì)型高效率的選擇：功率低于100W的AC－DC轉(zhuǎn)換器中GaN晶體管的出現(xiàn)

作者：David Woodcock，卓越電源系統(tǒng)中心經(jīng)理近幾個(gè)月來(lái)，一系列新的低成本、緊湊型USB Type-C®充電器已投放市場(chǎng)，它們利用了USB Type-C協(xié)議支持的USB Power Delivery規(guī)范的更高功率能力（高達(dá)100W）。這些新產(chǎn)品的充電速度比早期的USB充電器更快，但都具有較小的外殼 – 對(duì)于移動(dòng)計(jì)算設(shè)備的... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

AC－DC轉(zhuǎn)換器 GaN 晶體管 2022-5-7 10:38

除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域

作者：Doctor M氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更低的導(dǎo)通壓降，轉(zhuǎn)換效率高，也更適應(yīng)高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和漂移速率更高，適合高頻率應(yīng)用場(chǎng)景，因而在電力電子應(yīng)... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

氮化鎵快充技術(shù) 2022-4-15 11:31

詳解PI如何利用組合技術(shù)，優(yōu)化中功率開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)和成本

能效已經(jīng)成為所有電子產(chǎn)品越來(lái)越關(guān)注的焦點(diǎn)之一，一方面這意味著可以節(jié)省更多的能源，減少碳排放；另外更高的能效意味著更小，更緊湊且更輕薄的電源系統(tǒng)，這可以使電子產(chǎn)品在成本，尺寸，易用性等方面不斷進(jìn)步。對(duì)于電源來(lái)說(shuō)，由于牽扯到諸多分立元件、變壓器、功耗、散熱器、EMI、布線(xiàn)、保護(hù)等等諸多元... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

PFC LLC控制器功率開(kāi)關(guān)電源氮化鎵碳化硅 2022-3-30 14:04

如何設(shè)計(jì)小型USB－C PD和PPS適配器

作者：Aditya Kulkarni，Power Integrations資深產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)工程師對(duì)于產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō)，如何提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力是他們面對(duì)的核心挑戰(zhàn)。充電器和適配器要越做越小；能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供完整的USB-C功率傳輸(PD)、數(shù)字控制電源(PPS)功能；充電時(shí)間要越來(lái)越短。眾所周知... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

反激式開(kāi)關(guān)ICUSB－C PDPPS適配器 2022-3-7 14:08

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巧用這三個(gè)GaN 器件輕松搞定緊湊型電源設(shè)計(jì)

補(bǔ)償 EMI 濾波器 X 電容對(duì)有源 PFC 功率因數(shù)的影響

設(shè)計(jì)基于 GaN 的電源系統(tǒng)的更簡(jiǎn)單方法：比較市場(chǎng)上的集成驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品

從實(shí)際應(yīng)用中吸取經(jīng)驗(yàn)：如何驅(qū)動(dòng)寬帶隙半導(dǎo)體器件的柵極

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經(jīng)濟(jì)型高效率的選擇：功率低于100W的AC－DC轉(zhuǎn)換器中GaN晶體管的出現(xiàn)

除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域

詳解PI如何利用組合技術(shù)，優(yōu)化中功率開(kāi)關(guān)電源的設(shè)計(jì)和成本

如何設(shè)計(jì)小型USB－C PD和PPS適配器