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通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題

高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰。在過去20年間，額定電...
功率轉換SiC MOSFET 2022-12-20

通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題

Microchip Technology Inc.Xuning Zhang和Kevin Speer高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現在有機會在提高...
microchipSiC MOSFET 2022-11-22

碳化硅（SiC）電源管理解決方案搭配可配置數字柵極驅動技術助力實現“萬物電氣化”

Microchip Technology Inc.Nitesh Satheesh/Tomas Krecek/Perry Schugart/Xuning Zhang/Kevin Speer綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化，從而減少溫室氣體（...
碳化硅（SiC）電源管理數字柵極驅動技術“萬物電氣化” 2022-11-02

功率電子、5G、新能源汽車：三大目標市場中，第三代半導體器件的機會在哪里？

圖源：stock.adobe.com/Grispb 第三代半導體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導體，該類半導體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱為寬禁帶（WBG）半導體材料。與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子...
5G功率電子半導體器件新能源汽車 2022-01-24

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