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↓在 技術文章 中搜索到 804 條關于“SiC”的信息，用時:0.003 sec.

SiC MOSFET 如何提高 AI 數據中心的電源轉換能效

作者：安森美產品線經理 Wonhwa Lee如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求，正推動著數據中心行業蓬勃發展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業的迅猛發展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，...
SiC MOSFETAI安森美 2025-04-10

SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結構詳解

本文作者：Jonathan Dodge, P.E. 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中有諸多優勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點介紹Cascode結構。 Cascode簡介碳化硅結型場效...
SiC共源共柵碳化硅 2025-03-28

第18講：SiC MOSFET的動態特性

本文詳細介紹了SiC MOSFET的動態特性。包括閾值電壓特性、開通和關斷特性以及體二極管的反向恢復特性。此外，還應注意測試波形的準確性。 1. 閾值電壓特性 SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，...
SiC MOSFET三菱電機 2025-03-28

第17講：SiC MOSFET的靜態特性

商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V，而SiC擁有更高的擊穿場強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態特性。 1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態特性。由于MOSFET是單極性器件，沒有內建電勢，所以在...
SiC MOSFET三菱電機 2025-03-17

SiC JFET并聯的五大難題，破解方法終于來了！

本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。本文...
SiC JFET并聯示波器 2025-03-05

第16講：SiC SBD的特性

SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一...
SiC SBD三菱電機 2025-03-03

SiC JFET并聯難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！

本文作者：Jonathan Dodge, P.E., Mike Zhu, Shusun Qu ,Mike Tian 隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和并聯振蕩的分析，以及設計指南。...
SiC JFET安森美Al并聯設計 2025-02-28

第15講：高壓SiC模塊封裝技術

SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。為了實現低碳社會，能夠高效電能變換的電力電子技術正在擴展到消費、工業、電氣化鐵路、汽車、太陽...
SiC模塊封裝技術 2025-02-14

設計高壓SIC的電池斷開開關

DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統，由單相或三相電網功率或儲能系統（ESS）提供動力，可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選...
高壓SIC電池斷開開關 2025-02-13

第14講：工業用NX封裝全SiC功率模塊

三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構，與現有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。三菱電機從1994年開始研發SiC-MOSFET，經過試制驗證，目前正處于普及擴大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統整體的效率最大化，具有濾...
三菱電機NX封裝SiC功率模塊 2025-01-23

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