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↓在 技術文章 中搜索到 41 條關于“UnitedSiC”的信息，用時:0.002 sec.

給SiC FET設計PCB有哪些注意事項？

作者：Qorvo應用工程師Mike ZhuSiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉換產品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關速度和較低的傳導損耗，能夠在各類應用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互...
SiC FET設計PCB 2023-09-22

如何在有限空間里實現高性能？結合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術是個好方法！

作者：Pete LoseeSiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達成出色的熱特性，在功率轉換應用中實現了功率密度最大化和系統成本最...
SiC－FETTOLL封裝碳化硅 2023-09-08

雙柵結構 SiC FETs 在電路保護中的應用

2022 年 12 月 6 - 7 日，中國電工技術學會低壓電器專業委員會第二十一屆學術年會、第十七屆中國智能電工技術論壇暨固態新型斷路器技術發展及應用國際研討會（第二季）于江蘇常州順利召開。作為一場行業盛會，該會議主要圍繞固態/混合式新型斷路器的最新技術、前沿標準、全新檢測業務方向等相關解決方案...
電路保護SiC－FETs 2022-12-28

使用 SiC JFET 接近完美開關

碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用，具有高能量雪崩和短路耐受額定值，而且值得注意的是，它們在每單位芯片面積的 FOM 導通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術，實現了價值接近材料的理論極限（圖 1）。這個品質因數直接關系到開關的實際性能及其經濟性，與競爭技術相比，每個晶圓的芯片數量更多，性能相...
SiC JFET開關技術 2022-12-16

為什么礦機電源對效率和可靠性要求越來越高

數字加密貨幣通過特定的計算過程生成，俗稱“挖礦”。“挖礦”特別考驗算力與功耗，單位功耗下算力越高，則代表“挖礦”能力越強，雖然礦機芯片廠商在不遺余力地提升算力，但由于挖礦規模不斷擴大，其消耗的總電量相當驚人且在持續增長。據CryptoMonday估算，單筆比特幣交易，大約消耗2,165度電，而據劍...
礦機電源電源管理 2022-12-09

提高電源轉換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構顯示出多項優勢）

碳化硅功率器件在功率轉換效率、改進的高溫性能和使用更簡單的電路拓撲結構方面比硅功率器件具有多項優勢。在電動汽車牽引逆變器、DC/DC 轉換器和車載充電器 (OBC) 等一些需求旺盛的關鍵應用領域，器件特定的導通電阻 ( R DS(on) × A，其中A是傳導面積）是影響器件電容的關鍵品質因數 (FOM)，從而影響硬...
電源轉換器碳化硅功率器件 2022-12-07

UnitedSiC 750V 第4代 SiC FET提高了性能，并將設計靈活性提升到新的水平

UnitedSiC（現為Qorvo）擴展了其突破性的第4代 SiC FET產品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝的9mOhm導通電阻，擴大了性能領先地位。新型碳化硅 FET 采用標準分立式封裝。提供業界額定值最低的 RDS（on），是同類產品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時間額定...
SiC－FET碳化硅 2022-08-01

UnitedSiC SiC FET用戶指南

作者： Mike Zhu 簡介本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經過實驗性雙脈沖測試（DPT）結果驗證。緩沖電路損耗得到精確測量，可協助用戶計算緩沖電路電阻的額定功率。本指南還在UnitedSiC_AN0018《開關含緩沖電路的快速SiC FET應用說明》中分析...
SiC器件SiC FETRC緩沖電路 2022-05-09

解讀UnitedSiC第四代SiC FET——RDS(on)最小僅為6mΩ

日前，UnitedSiC宣布發布僅為6mΩ導通電阻（RDS(on)）的SiC器件，從而響應了電源設計人員對更高性能、更高效率的SiC FET的追求。同時UnitedSiC還宣布了一系列不同導通電阻的SiC器件，從而滿足客戶的多元化需求。這也是2020年UnitedSiC發布首款第四代SiC FET之后的一次重大更新。UnitedSiC亞太區銷售副總...
SiC器件UnitedSiC 2021-09-29

UnitedSiC銀燒結技術，可提高功率半導體導熱系數

作者: UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla雖然電子器件帶來的功能似乎沒有止境，但是數字和模擬器件的集成器件制造商（IDM）仍然不得不在所用材料的物理限制內設計解決方案。由于半導體發展大趨勢和終端市場帶來的需求，隨著時間推移，管理產品的熱密度變得越來越重要。一般而言，熱管理管理的是二極...
功率半導體銀燒結技術 2021-03-03

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