电影一区二区三区_亚洲激情二区_亚洲欧洲成人av每日更新_91超碰国产在线

<s id="ocwsh"></s>

<kbd id="ocwsh"></kbd>

<kbd id="ocwsh"><acronym id="ocwsh"><span id="ocwsh"></span></acronym></kbd>

設(shè)為首頁網(wǎng)站地圖加入收藏

應(yīng)用開發(fā)

VR/無人機(jī)| 智能照明| 智能家居| 工業(yè)自動(dòng)化| 測試測量| 人工智能| 碳化硅/氮化鎵| 智能電源及能源| 智能可穿戴| 智能手機(jī)| 智能醫(yī)療及看護(hù)| 通信及物聯(lián)網(wǎng)| 智能交通及汽車

↓在 技術(shù)文章 中搜索到 11 條關(guān)于“eGaN”的信息，用時(shí):0.001 sec.

采用 GaN 的汽車降壓／反向升壓轉(zhuǎn)換器，可實(shí)現(xiàn)高效 48 V 配電

汽車行業(yè)日益電氣化的趨勢使汽車制造商既能以成本效益向市場提供新的創(chuàng)新，又能滿足日益嚴(yán)格的排放立法。將車輛的主母線電壓提高到48V有助于滿足耗電系統(tǒng)的需求，如輕度混合動(dòng)力車輛的啟停電機(jī)/發(fā)電機(jī)，以及電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、電動(dòng)增壓、真空泵和水泵等負(fù)載。與傳統(tǒng)的12V汽車電源標(biāo)準(zhǔn)相比，48V配電可以在不...
GaN汽車降壓／反向升壓轉(zhuǎn)... 2024-03-08

增強(qiáng)型 GaN 晶體管的電氣特性

對于使用過功率 MOSFET 的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)師來說，升級到增強(qiáng)型 GaN 晶體管非常簡單。基本操作特性非常相似，但在高效設(shè)計(jì)中需要考慮一些特性，以便從這種新一代設(shè)備中獲得利益。注意這些電氣特性每個(gè)半導(dǎo)體的功能都有其限制。這些限制通常在器件數(shù)據(jù)表中突出顯示，并作為設(shè)計(jì)人員如何創(chuàng)建不存在隱藏質(zhì)量或...
GaN 晶體管電氣特性 2023-10-27

20位DAC是精度為1ppm的精密電壓源中最簡單的部分

作者：Maurice Egan高分辨率數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）的常見用途是提供可控的精密電壓。分辨率高達(dá) 20 位、精度高達(dá) 1 ppm 和合理速度的 DAC 應(yīng)用包括醫(yī)療 MRI 系統(tǒng)中的梯度線圈控制;測試和測量中的精密直流電源;質(zhì)譜和氣相色譜中的精確設(shè)定點(diǎn)和位置控制;以及科學(xué)應(yīng)用中的放大器。隨著時(shí)間的推移，隨著半導(dǎo)體處...
數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）精密電壓源 2023-02-08

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

作者：Doctor M在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN...
新能源汽車GaN 2022-09-21

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

作者：Doctor M在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN...
新能源汽車GaN 2022-09-14

殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？

圖源：greenbutterfly/stock.adobe.com 在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳...
電動(dòng)汽車GaN車載充電器（OBC） 2022-08-12

基于GaN的高功率穩(wěn)壓輸出電源方案

作者：Ashok Bindra由于當(dāng)今系統(tǒng)板上的微處理器、FPGA 和 ASIC 等電子負(fù)載正朝著具有更高電流和更快瞬態(tài)響應(yīng)的更低電壓發(fā)展，因此中間總線架構(gòu)（IBA）在基于現(xiàn)代分布式電源架構(gòu) （DPA）的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中很常見，工作站和電信設(shè)備。IBA 方案通過使用稱為磚的標(biāo)準(zhǔn)隔離式 DC/DC&n...
微處理器DC／DC 轉(zhuǎn)換器FPGA 2022-08-04

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

作者：Alex Lidow過去的四十年中，隨著功率MOSFET結(jié)構(gòu)，技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新的千年中，隨著硅功率MOSFET接近其理論極限，改進(jìn)速度已大大降低。同時(shí)，一種新材料氮化鎵（GaN）朝著理論性能極限的方向穩(wěn)步發(fā)展，該性能極限是老化的...
GaN功率晶體管 2022-05-09

基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方面的改進(jìn)外，GaN技術(shù)具有將多個(gè)器件集成在同一襯底上的本征特性，這將極有可能給電源轉(zhuǎn)換市場帶有巨大影響。這種能力將使單片電源系統(tǒng)能夠以更簡單，更高效，更具成本效益的方式在單個(gè)芯片...
gan芯片電源轉(zhuǎn)換 2021-08-16

如何選擇補(bǔ)償式硅壓力傳感器

該參考設(shè)計(jì)為使用補(bǔ)償型硅壓力傳感器和高 delta-sigma ADC的經(jīng)濟(jì)高效，低功耗液位測量數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（DAS）提供了設(shè)計(jì)思路。本文討論了如何選擇補(bǔ)償式硅壓力傳感器，建議系統(tǒng)算法以及提供噪聲分析。它還描述了校準(zhǔn)思路，以提高系統(tǒng)性能同時(shí)降低復(fù)雜性和成本。液位測量在工業(yè)和商業(yè)過程中都有許多應(yīng)...
壓力傳感器壓差傳感器 2021-06-16

關(guān)鍵字搜索分類查看

新聞(9)

新品(31)

技術(shù)文章(11)

解決方案(1)

論壇帖子(14)

博客日志(60)

主站蜘蛛池模板：舟山市| 江安县| 慈溪市| 巩留县| 双辽市| 英德市| 泰兴市| 郑州市| 平南县| 石门县| 栾城县| 阿坝| 桦南县| 河曲县| 涿州市| 西平县| 东宁县| 嘉鱼县| 无为县| 龙州县| 绥化市| 佛山市| 英超| 乐平市| 资中县| 禹州市| 香格里拉县| 论坛| 夏河县| 灵武市| 虞城县| 奉贤区| 杭州市| 西宁市| 阿拉善右旗| 揭东县| 台安县| 黄龙县| 伊宁市| 星子县| 从化市|

<font id="cfcga"><sup id="cfcga"></sup></font>

<strike id="cfcga"><label id="cfcga"></label></strike>

<strike id="cfcga"><rp id="cfcga"></rp></strike>