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↓在 技術文章 中搜索到 17 條關于“pHEMT”的信息，用時:0.001 sec.

ADI覆蓋全頻譜的器件如何簡化無線通信設計？

無線技術在如今的通信系統(tǒng)中發(fā)揮著關鍵作用，逐漸成為智慧家居、智能機器人、自動駕駛與新型醫(yī)療設備等新興技術的核心。在近日舉辦的 EDICON 2020 上，ADI 不僅帶去了數(shù)款最新無線通信系統(tǒng)設計 Demo，并且由 ADI 射頻應用經理 Mercy Chen 用精彩的演講為與會觀眾講述了不同帶寬通信應用...
通信系統(tǒng)通信設計 2024-01-15

pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

作者：Gweneivere Lasay，產品應用工程師摘要假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開關頻率下以高增益運行。然而，如果柵極和漏極偏置時序不正確，漏極溝道的高電導率可能會導致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及...
pHEMT功率放大器有源偏置解決方案 2023-11-13

具過載保護功能的USB供電433.92MHz RF低噪聲放大器接收器

國際電信聯(lián)盟(ITU)將433.92 MHz工業(yè)、科學和醫(yī)學(ISM)射頻頻段分配給1區(qū)使用，該區(qū)域在地理上由歐洲、非洲、俄羅斯、蒙古和阿拉伯半島組成。盡管最初旨在用于無線電通信之外的應用，但多年來無線技術和標準的進步使得ISM頻段在短距離無線通信系統(tǒng)中頗受歡迎。ITU 1 區(qū)的運營商無需為使用433.92 MHz頻段...
過載保護USB供電低噪聲放大器接收器 2023-03-01

太空互聯(lián)網：大容量、低延遲LEO衛(wèi)星用戶和地面終端中的RFIC進展

作者：ADI市場營銷與業(yè)務發(fā)展總監(jiān)Donal McCarthy衛(wèi)星通信(satcom)是一種成熟的語音、視頻和數(shù)據(jù)傳輸方式，在所有主要軌道（包括地球同步赤道軌道GEO、中地球軌道MEO和LEO）上廣泛使用。衛(wèi)星通信被認為是傳輸GPS導航信號、天氣信息、電視廣播、語音、數(shù)據(jù)的有效手段，同時也用于成像和科學應用。承諾提供...
LEO衛(wèi)星系統(tǒng)太空互聯(lián)網RFIC 2022-12-19

射頻微波晶體管的發(fā)展現(xiàn)狀及分析

作者：南敬昌，黎淑蘭，劉元安，唐碧華，來源：趨勢與展望對當前各種類型射頻微波晶體管的結構特點、性能和應用情況進行了分析和綜述。對晶體管的發(fā)展歷史進行了全面而細致的回顧，指明了今后射頻微波晶體管的發(fā)展特點和發(fā)展趨勢，得出了射頻微波晶體管的選型原則。1 引言半導體技術的發(fā)展，促進...
功率器件射頻微波晶體管 2022-10-21

USB供電的5．8 GHz RF LNA接收器，帶輸出功率保護功能

作者: ADI公司評估和設計支持► 電路評估板► CN0534電路評估板(EVAL-CN0534-EBZ)► 設計和集成文件► 原理圖、布局文件、物料清單電路功能與優(yōu)勢國際電信聯(lián)盟(ITU)分配了免許可的5.8 GHz工業(yè)、科學和醫(yī)學(ISM)無線電頻段供全球使用。隨著無線技術和標準的...
USB供電RF接收器輸出功率保護無線通信系統(tǒng) 2022-06-10

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的區(qū)別在哪里？這篇指南送給你

幾十年來，硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發(fā)出來，提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半導體，我們開發(fā)出了發(fā)光二極管(LED)。一種類型是由砷化鎵(GaAs)和磷砷化鎵(GaAsP)組成。其他的則使用銦和磷。問題是，化合物半導體更難制...
GaNSiC發(fā)光二極管 2022-05-23

為什么好的 LNA 對有效的天線前端至關重要

作者：Bill Schweber關于 RF 和無線鏈路，任何學生首先要學到的內容之一是天線遵循互易原則。這意味著天線的發(fā)射和接收特征是相同的，兩種模式之間的發(fā)射或接收增益、波束寬度或輻射模式等屬性沒有差異。如果知道發(fā)射模式的天線規(guī)格，那么就知道接收模式的天線規(guī)格。當然，對于進行更高功率傳輸?shù)奶炀€，...
LNA天線前端 2022-04-02

利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲

本文要點高電子遷移率晶體管 (High electron mobility transistors ，HEMT) 和偽高電子遷移率晶體管 (pseudomorphic high electron mobility transistors ，PHEMT) 因其獨特的、可提高性能的特點而大受歡迎在 HEMT 結構中，高電子遷移率是由于摻雜的寬帶半導體與未摻雜的窄帶隙半導體并列在一起造成的H...
晶體管無線通信 2022-03-08

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)晶體管之間的差異

幾十年來，硅一直主導著晶體管世界。但這種情況已在逐漸改變。由兩種或三種材料組成的化合物半導體已被開發(fā)出來，提供獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，有了化合物半導體，我們開發(fā)出了發(fā)光二極管（LED）。一種類型是由砷化鎵（GaAs）和磷砷化鎵（GaAsP）組成。其他的則使用銦和磷。問題是，化合物半導體...
氮化鎵(GaN)碳化硅(SiC)晶體管寬禁帶半導體 2022-02-24

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