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↓在 解決方案 中搜索到 58 條關于“GaN”的信息，用時:0.002 sec.

[原創]TI LMG3425R050600V 50mΩGaN FET解決方案

TI公司的LMG3422R030是600V 50mΩ GaN-on-Si FET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R050集成的硅驅動器開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供...
電源管理GaN FET太陽能UPSTILMG3425R050600V 2020-12-30

[原創]TI LMG3422R030 600V 30mΩGaN FET應用評估方案

TI公司的LMG3422R030是600V 30mΩGaN-on-SiFET,集成了驅動器和保護功能,使設計者在電源系統中獲得新的功率密度和效率. LMG3422R030集成的硅驅動器是開關速度高達150V/ns.器件集成的精密柵極偏壓可以得到比分立硅柵極驅動器更高的安全操作區域(SOA).這種集成以及相應的低電感封裝,在硬開關電源拓撲中提供...
電源管理GaN FET太陽能UPSTILMG3422R030 2020-12-10

[原創]Infineon IGOT60R070D1 600 V增強GaN功率晶體管應用方案

Infineon公司的IGOT60R070D1是CoolGaN™ 600 V增強氮化鎵(GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT),具有最高質量的最高的效率和功率密度.增強模式晶體管通常處于開關態(OFF),具有超快開關速度,沒有反向恢復的電荷,并能反向導通.器件具有低柵極電荷,低輸出電荷,以及優越的換向堅固性,工業應用具有JEDEC標準資...
電源管理開關電源增強GaNCoolGaNHEMTInfineonIGOT60R070D1 2020-12-04

[原創]TI TIDM－02008雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC參考設計

TI公司的TIDM-02008是采用C2000™ MCU和LMG341xR070600-V 70-mΩGaN FET的雙向高密度GaN晶體管CCM圖騰柱PFC參考設計.具有交錯3.3kW單相雙向無橋CCM圖騰柱PFC級,100kHz脈寬調制(PWM)開關,可編輸出電壓,380V DC為正常輸出值,峰值效率大于98%,總諧波失真(THD)小于2%,支持powerSUITE™,便于容易設...
電源管理AC／DC轉換器GaN FETTITIDM－02008 2020-10-30

[原創]ST MASTERGAN1 650V氮化鎵(GaN)晶體管半橋驅動方案

ST公司的MASTERGAN1是650V增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,先進的功率系統級封裝,集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強模式氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管,具有150 mΩRDS(ON)和650V漏源極擊穿電壓,而嵌入高邊柵極驅動很容易由集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1對低和高驅動部分具有UVLO保護,以防止功率...
電源管理氮化鎵高遷移率晶體管...開關電源DC／DC轉換器STMASTERGAN1 2020-10-21

[原創]Infineon IGT40R070D1 E8220 400V GaN D類放大器解決方案

Infineon公司的IGT40R070D1 E8220是400V Cool增強模式氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT).該器件通過在體二極管的零反向恢復電荷和非常小的線性輸入和輸出電容,克服了技術阻擋層如線性和功率損耗.CoolGaN™由于具有低/線性Coss,零Qrr和常開開關,理想的D類音頻放大器提供0%失真和100%效率.D類放大器線...
D類放大器GaN HEMTInfineonIGT40R070D1E8220 2020-09-15

[原創]TI LMG341xR070 GaN雙向CCM圖騰柱PFC參考設計TIDM－02008

TI公司的LMG341xR070是集成了驅動器和保護特性的GaN功率級,在功率電子系統中達到新高度的功率密度和效率.和硅MOSFET相比, LMG341x系列的固有優勢是超低輸入和輸出電容,零反向恢復以降低開關損耗達80%之多,而低開關節點振鈴則降低了EMI.這些優點使得功率密度和拓撲類似于圖騰柱PFC.集成的驅動器具有零共...
電源管理PFCGaNTILMG341xR070TIDM－02008 2020-08-07

[原創] Infineon 600 V CoolGaN高壓GaN開關絕緣柵驅動方案

Infineon公司的600 V CoolGaN高壓GaN開關是單路絕緣柵驅動器,是GaN EiceDRIVER™系列產品. CoolGaN™增強模式HEMT是Infineon公司的EiceDRIVER™ IC中1EDF5673K, 1EDF5673F 和1EDS5663H最好驅動器.單路電流絕緣VIO=1500VDC,輸出脈沖寬度大于18ns,傳輸時延精度13ns,降低死區損壞多達50%,可...
電源管理GaN開關絕緣柵驅動器 2020-02-21

[原創] TI LMG3410R050 GaN功率放大級解決方案

摘要: TI公司的LMG3410R050是具有過流保護的600-V 50-mΩ GaN功率放大級,比硅MOSFET具有固有的優勢包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復以降低開關損耗達80%之多,以及低開關節點振鈴以降低EMI,20ns傳輸時延用于MHz工作,25-100V/ns用戶可調轉換速率,具有強健的保護,不需要外接保護元件,主要用在高...
電源管理GaN功率放大器馬達驅動UPS太陽能逆變器 2019-01-14

[原創] TI LMG1020低邊GaN FET驅動器解決方案

TI公司的LMG102是單個低邊GaN和Si MOSFET驅動器,高達60MHz工作頻率,輸入脈沖寬度１ns,傳輸時延典型值2.5ns,上升和下降時間為400ps,7A峰值源電流和5A峰值沉電流,5V工作電壓,主要用在激光雷達(LiDAR),TOF激光驅動器,面部識別,E類無線充電器,VHF諧振電源轉換器,GaN同步整流器和增強現實(AR).本文介紹了LMG...
電源管理GaN FET驅動器LIDARLMG102 2019-01-04

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