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↓在 解決方案 中搜索到 58 條關于“GaN”的信息，用時:0.003 sec.

[原創]ST VIPERGAN50 E模式GaN HEMT 50W高壓轉換器參考設計

ST公司的VIPERGAN50是高壓轉換器,設計用于中功率準諧振ZVS (開關時零電壓開關)反激轉換器,能夠在大范圍內提供輸出功率高達50W. VIPERGAN50集成了完整的特性,提供極靈活特性和容易使用芯片,有助于設計高效率離線電源.ZVS準諧振工作和動態消隱時間特性以及谷同步功能,它經常在漏極共振的谷底打開功率開關...
電源管理GaN HEMT高壓轉換器STVIPERGAN50 2022-06-30

[原創]ADI ADPA1106 2.7GHz-3.5GHz 40W氮化鎵(GaN)功率放大方案

ADI公司的ADPA1106是氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器,提供46dBm(40W)功率,典型功率附加效率(PAE),帶寬2.7GHz到3.1GHz. 頻率2.7 GHz 到 3.1 GHz和PIN=21dBm輸出功率POUT=46dBm,功率增益為25dB,小信號增益為34.5dB. 2.7GHz到3.1GHz和PIN = 21 dBm時的PAE為56%.電源電壓VDD=50V, IDQ = 300 mA占空比10%.采用32引...
無線通信微波通信氮化鎵(GaN)ADIADPA1106 2022-06-21

[原創]Infineon 1EDF5673K單路增強隔離高壓增強型GaN 柵極驅動方案

Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是單路增強隔離高壓增強型GaN HEMT柵極驅動器. CoolGaN™ 和同類 GaN開關在”開”態需要幾mA的連續柵極電流.此外,由于低閾值電壓和極快開關瞬態,需要負的”關”電壓電平.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器完全滿足這些要求,但是,它受到開關動態的占空比依...
電源管理柵極驅動器GaN HEMTInfineon1EDF5673K 2022-05-10

[原創]TI UCC27614單路高速GaN/S iC低邊柵極驅動器解決方案

TI公司的UCC27614是單路高速GaN/S iC低邊柵極驅動器器,能有效驅動MOSFET, IGBT, SiC和GaN功率開關.其峰值驅動強度為10A,降低了功率開關的上升和下降時間,降低開關損耗和增加了效率.UCC27614器件通過改善死區時間優化,脈寬效用,控制回路響應和系統瞬態性能具有小傳輸時延,從而具有更好的功率級效率.如果...
電源管理柵極驅動器IGBTSiCGaNTIUCC27614 2021-12-02

[原創]ST MASTERGAN5 600V增強模式GaN功率半橋驅動器解決方案

ST公司的MASTERGAN5是高功率密度兩個增強模式GaN功率HEMT的600V半橋驅動器,具有先進的功率系統級封裝(SiP),集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強模式GaN功率晶體管.集成的功率GaN具有650V漏極-源極電壓和450 mΩ的RDS(ON).同時嵌入的柵極驅動器的高邊很容易由集成的自舉二極管進行供電.MASTERGAN5在低和...
電源管理開關電源SMPSDC／DC轉換器DC／AC轉換器GaN功率晶體管STMASTERGAN5 2021-09-17

[原創]ST MASTERGAN4系統級封裝(SiP) 650V GaN驅動方案

ST公司的MASTERGAN4是先進功率系統級封裝(SiP),集成了柵極驅動器和兩個半橋配置的增強模式GaN功率晶體管.集成的功率GaN有650V漏極-源極阻斷電壓,RDS(ON) 為225 mΩ.而高邊嵌入柵極驅動器能很容易由集成的陰極負載二極管供電.MASTERGAN4在低和高邊驅動部分具有UVLO保護,從而防止功率開關工作在低效率或危...
電源管理GaN功率晶體管STMASTERGAN4 2021-08-23

[原創]ADI ADPA110745.0 dBm (35 W) 4.8 -6.0 GHz GaN功率放大方案

ADI公司的ADPA1107是在4.8 -6.0 GHz頻段提供45.0 dBm功率(35 W)的寬帶氮化鎵(GaN)功率放大器,典型的附加功率效率(PAE)為56.5%(PIN=27.0dBm).5.4 GHz到6.0 GHz的增益平坦度為±0.5 dB.4.8 GHz到 5.4 GHz的小信號增益典型為30.5dB,頻率范圍為4.8 GHz到 5.4 GHz.VDD為28V(IDQ = 350 mA,10%占空比).輸入回波...
GaN功率放大器微波通信雷達ADIADPA110745 2021-08-03

[原創]On Semi NCP51820氮化鎵GaN功率開關高速半橋驅動方案

On Semi公司的NCP51820是高速柵極驅動器,設計滿足驅動增強模式(e−mode)高遷移率晶體管(HEMT)和柵極注入晶體管(GIT),以及離線半橋功率拓撲的氮化鎵GaN功率開關嚴格要求. NCP51820提供先進的電平轉移技術,具有短匹配傳播延遲,高邊驅動時共模電壓范圍−3.5 V 到 +650 V,低邊驅動時共模電壓范圍...
電源管理GaN功率開關柵極驅動器On SemiNCP51820 2021-07-13

[原創]ST MASTERGAN1 650V增強模式GaN HEMT解決方案

ST公司的MASTERGAN1是先進的功率系統級封裝,集成了柵極驅動器和兩個增強模式半橋配置的GaN晶體管.集成的功率GaN的RDS(ON)為150 mΩ,漏-源擊穿電壓為650V,IDS(MAX) = 10 A,而嵌入的高邊柵極驅動器很容易有集成的自舉二極管供電. MASTERGAN1器件在低邊和高邊驅動兩部分有UVLO保護,從而阻止了功率開關工作在...
電源管理GaN HEMTSTMASTERGAN1 2021-06-15

[原創]Infineon 1EDF5673K單路高壓增強模式GaN HEMT柵極驅動方案

Infineon公司的1EDS5663H是單路和增強隔離的高壓增強模式GaN HEMT柵極驅動器.CoolGaN™和相近GaN開關在”開態”時需要連續柵極電流幾個mA,而由于低閾值電壓和極快開關瞬態,還需要負”關態”電壓.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器滿足這些要求,但是它依賴于開關動態的占空比特性和缺少負柵極驅動.Infine...
工業控制GaN HEMT柵極驅動器Infineon1EDF5673K 2021-01-13

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