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應(yīng)用開(kāi)發(fā)

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↓在 論壇帖子 中搜索到 86 條關(guān)于“IDM”的信息，用時(shí):0.002 sec.

--BBS主題帖: IBM與GF三十年未了緣：產(chǎn)業(yè)模式變遷

[font=瀹?huà)浣揮易藝[/font] [font=瀹?huà)浣揮1981年，IBM發(fā)布了首臺(tái)IBMPC。為了保證處理器供應(yīng)不會(huì)依賴于一家廠商，IBM要求英特爾將其架構(gòu)技術(shù)授權(quán)給另一家公司——AMD。[/font] [font=瀹?huà)浣揮33年后的2014年，IBM將其處理器制造業(yè)務(wù)“送”給了GLOBALFOUNDRIES。后者來(lái)自2008年從AMD中拆分出來(lái)的芯片制造...
2015-10-13

--BBS主題帖: 中國(guó)想要什么樣的芯片產(chǎn)業(yè)？

[color=#000][font=Arial,]如果說(shuō)最近的幾樁大規(guī)模[/font][/color][url=http://www.eechina.com/keyword/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93]半導(dǎo)體[/url][color=#000][font=Arial,]業(yè)界并購(gòu)案──[/font][/color][url=http://www.eechina.com/keyword/NXP]NXP[/url][color=#000][font=Arial,] -[/font][/col...
2015-09-17

--BBS主題帖: 增速放緩是暫時(shí)的，半導(dǎo)體業(yè)未來(lái)兩年有大發(fā)展

[font=微軟雅黑, Tahoma,]2015年的時(shí)間已經(jīng)過(guò)去一半，就半年來(lái)的情況來(lái)看，今年全球半導(dǎo)體業(yè)的年景可能并不如去年那樣好。2014年的時(shí)候，全球半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)率達(dá)到久違的近10%的水平，這主要得益于智能手機(jī)與平板電腦等應(yīng)用的需求量大增。而今年的情況已顯然不同。目前智能手機(jī)的增幅已下降至15%，尤其...
2015-07-18

--BBS主題帖: 場(chǎng)效應(yīng)管原理（2）

3 主要參數(shù) (1) 直流參數(shù) 指耗盡型MOS夾斷電壓UGS=UGS(off) 、增強(qiáng)型MOS管開(kāi)啟電壓UGS(th)、耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管的飽和漏極電流IDSS(UGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流)、輸入電阻RGS. (2) 低頻跨導(dǎo)gm gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求取，單位是mS(毫西門(mén)子)。 (3) 最大漏極電流IDM 2 場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管場(chǎng)效應(yīng)...
2015-06-30

--BBS主題帖: MOSFET選擇策略詳解

[color=#333333][font=微軟雅黑, Tahoma,]在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管（BJT）是僅有的功率開(kāi)關(guān)。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件。MOSFET是正溫度系數(shù)器件，而IGBT則不一定。MOSFET是多數(shù)載流子器件，因而是高頻應(yīng)用...
2015-05-10

--BBS主題帖: MOSFET選擇策略詳解

[color=#333333][font=微軟雅黑, Tahoma,]在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結(jié)型晶體管（BJT）是僅有的功率開(kāi)關(guān)。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件。MOSFET是正溫度系數(shù)器件，而IGBT則不一定。MOSFET是多數(shù)載流子器件，因而是高頻應(yīng)用...
2015-05-10

--BBS主題帖: IP集成的關(guān)鍵是標(biāo)準(zhǔn)

[color=#333333][font=微軟雅黑, Tahoma,]系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)時(shí)代已發(fā)展到即使是大規(guī)模復(fù)雜芯片也幾乎可以機(jī)械地組裝的程度。從一個(gè)很高的層面來(lái)看，它似乎已變成一個(gè)公式化過(guò)程：選擇一個(gè)處理器、選擇一條總線、把存儲(chǔ)器和各種外設(shè)整合在一起，這就是所有的工作。不過(guò)，集成半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)卻可能是一...
2015-04-28

--BBS主題帖: 全球營(yíng)業(yè)收入排名前20的IDM與無(wú)廠MEMS供應(yīng)商博世STM并列第一

[font=Arial, 宋體]據(jù)IHS公司的MEMS與傳感器市場(chǎng)追蹤報(bào)告，2012年MEMS市場(chǎng)首次出現(xiàn)并列第一的現(xiàn)象，德國(guó)博世與法國(guó)-意大利企業(yè)意法半導(dǎo)體(STM)分享2012年最大供應(yīng)商殊榮。[/font] [font=Arial, 宋體]博世與意法半導(dǎo)體的2012年MEMS營(yíng)業(yè)收入均接近8億美元大關(guān)，都約為7.93億美元。在每個(gè)季度把營(yíng)業(yè)收入...
2013-05-31

--BBS主題帖: IGBT：走虛擬IDM之路

目前我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策及重大項(xiàng)目的推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下得到了迅速發(fā)展，呈現(xiàn)出大尺寸區(qū)溶(FZ)單晶材料、IGBT芯片工藝和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬勃發(fā)展的大好局面。　　我國(guó)IGBT成就顯著　　天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司研制的6英寸FZ單晶材料已批量應(yīng)用，在國(guó)家“02”科技重大專項(xiàng)的推動(dòng)下，8英寸...
2012-04-07

--BBS主題帖: 3D IC:晶圓、IDM及封裝廠如何創(chuàng)造新關(guān)系是關(guān)鍵

3D IC的全新架構(gòu)帶來(lái)極大改變，并非僅著眼于前端或后端制程執(zhí)行矽穿孔，關(guān)鍵在于晶圓代工廠、整合元件制造商(IDM)及封裝廠如何創(chuàng)造新的合作關(guān)系。在邏輯與記憶體晶片接合介面標(biāo)準(zhǔn)Wide I/O Memory Bus已于9月底塵埃落定，而加入的半導(dǎo)體成員達(dá)上百家下，如此將有助于加快廠商開(kāi)發(fā)時(shí)程，促使3D IC盡早展開(kāi)...
2011-12-07

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