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↓在 論壇帖子 中搜索到 354 條關于“Vishay”的信息，用時:0.003 sec.

--BBS主題帖: Vishay推出新系列 P 通道 MOSFET Siliconix 器件

基于新一代 TrenchFET 芯片技術的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPAK SC-70 封裝（2.05 mm×2.05 mm）時最大導通電阻額定值為 29 毫歐，采用標準 SC-70 封裝（2.0 mm×2.1 mm）時為 80 毫歐，采用 SC-89 封裝（1.6 mm×1.6 mm）時為 130 毫歐。與市場上僅次之的 MOSFET 相比，這些新型 Vishay ...
2007-10-11

--BBS主題帖: Vishay推新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網絡

Vishay推出新型SMNZ超高精度Z箔四電阻網絡，該器件在0℃～+60℃時具有±0.05ppm/℃的低絕對TCR，在額定功率時具有5ppm的出色PCR跟蹤(“ΔR，由于自加熱”)，并且具有0.01%的匹配容差以及0.005%的負載壽命比穩定性，并且通過Vishay的快速通道原型服務(FastlanePrototypeService)可快速供貨。
2007-09-28

--BBS主題帖: Vishay 推出CLCC6 陶瓷封裝的高強度功率 SMD LED

Vishay推出采用 CLCC6 陶瓷封裝的高強度黃光、淡黃色光及白光功率 SMD LED 系列。VLMx61 系統為熱敏感型應用提供了極低的熱阻及高光強度。這些VLMK61, VLMY61, 及VLMW61器件的 CLCC6 陶瓷封裝可實現能夠產生最大光輸出的額外電流驅動，同時保持了長達 50,000 小時的運行壽命。其高效的散熱功能使 CLCC6...
2007-09-13

--BBS主題帖: Vishay 推出高速 1 Form A 固體繼電器VO14642AT

Vishay推出一款新型 1 Form A 固體繼電器，該器件可為設計人員提供面向各種測試與測量及工業應用的快速開關速度及低導通電阻。該VO14642AT具有可在測試設備中提供更高吞吐量的 800µs 快速典型開關速度，以及 0.25Ω 的低導通電阻，該電阻允許在需要低功耗及低散熱的應用中使用多個繼電器。該...
2007-09-12

--BBS主題帖: Vishay推出新型表面貼裝環境光傳感光電二極管

Vishay推出首款符合 AEC Q101 標準的環境光傳感光電二極管，從而擴展了其光電子產品系列。AEC Q101 標準是針對汽車電子協會發布的分立半導體的可靠性測試認證程序。
2007-08-27

--BBS主題帖: Vishay推出220μF/4V CV額定值固體鉭芯片電容器

Vishay宣布擴展了其298D系列MicroTan固體鉭芯片電容器，新器件在兩個小型模塑封裝尺寸中具有業界最佳的電容電壓額定值。通過充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術，Vishay的298DMicroTan電容器已得到擴展，可在面積為1.60mmx0.85mm、最大厚度為0.90mm的超薄小型0603M封裝中提供1μF/25V～47μF/...
2007-08-13

--BBS主題帖: Vishay 推出新型T97系列固體鉭電容器芯片

Vishay推出新型 TANTAMOUNT Hi-Rel COTS T97 系列固體鉭電容器芯片，這些電容器可提供高可靠性篩選及浪涌電流測試選擇，并且具有極低的 ESR 值。這些新型 T97 電容器采用雙陽極結構，以確保在同類器件中 ESR 值最低，這些器件主要面向安全性至關重要的應用，例如軍事、航天及醫療行業中的應用。典型最終...
2007-07-27

--BBS主題帖: Vishay推出4Ω四通道SPST CMOS模擬開關

Vishay推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關，這些器件將高開關速度與高信號帶寬進行了完美結合，可用于眾多開關應用，其中包括音頻、視頻、數據及電源。Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個可獨立選擇的 44V SPST 開關，每個均具有 4Ω 的典型導通電阻及 0.2Ω 的典型...
2007-07-17

--BBS主題帖: Vishay 推出超高電容范圍新型HE3液體鉭高能電容器

Vishay 推出在市場上所有類似器件中具有最高電容的新型液體鉭高能電容器。HE3 采用含 SuperTan 技術的獨特封裝設計，可在高能應用中提高可靠性及性能。Vishay 的 HE3 專門針對高可靠性航空電子及軍用設備中的能量存儲及脈沖功率應用而進行了優化，該器件采用密封的純鉭封裝，可在高壓力及惡劣環境中使用...
2007-07-17

--BBS主題帖: Vishay 推出Siliconix PowerPAK ChipFET功率 MOSFET

Vishay推出七款采用新型 PowerPAK ChipFET 封裝的 p 通道功率 MOSFET，該封裝可提供高級熱性能，其占位面積僅為 3mm×1.8mm。這些新型 PowerPAK ChipFET 器件的熱阻值低 75%，占位面積小 33%，厚度（0.8 毫米）薄 23%，它們成為采用 TSOP-6 封裝的 MOSFET 的小型替代產品。這些器件的最大功耗為 ...
2007-07-17

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