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↓在 論壇帖子 中搜索到 64 條關于“CGD”的信息，用時:0.002 sec.

--BBS主題帖: 射頻低噪聲放大器電路設計詳解

[font=宋體, arial]射頻LNA設計要求：低噪聲放大器（LNA）作為射頻信號傳輸鏈路的第一級，它的噪聲系數特性決定了整個射頻電路前端的噪聲性能，因此作為高性能射頻接收電路的第一級LNA的設計必須滿足：（1）較高的線性度以抑制干擾和防止靈敏度下降;（2）足夠高的增益，使其可以抑制后續級模塊的噪聲;（...
2015-05-20

--BBS主題帖: 開關電源電子電路設計組成與原理精析

[font=宋體, arial][b]開關電源的電路組成[/b][/font] [font=宋體, arial]　　開關電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過欠壓保護電路、輸出過欠壓保護電路、輸出過流保護電路、輸出短路保護電路等。開關...
2015-05-20

--BBS主題帖: 射頻電子電路設計圖集錦—電路圖天天讀（1）

[font=宋體, arial][b]TOP1 射頻低噪聲放大器電路[/b][/font] [font=宋體, arial]　　射頻LNA設計要求：低噪聲放大器（LNA）作為射頻信號傳輸鏈路的第一級，它的噪聲系數特性決定了整個射頻電路前端的噪聲性能，因此作為高性能射頻接收電路的第一級LNA的設計必須滿足：（1）較高的線性度以抑制干擾和防...
2015-05-20

--BBS主題帖: MOSFET選擇策略詳解

[color=#333333][font=微軟雅黑, Tahoma,]在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結型晶體管（BJT）是僅有的功率開關。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件。MOSFET是正溫度系數器件，而IGBT則不一定。MOSFET是多數載流子器件，因而是高頻應用...
2015-05-10

--BBS主題帖: MOSFET選擇策略詳解

[color=#333333][font=微軟雅黑, Tahoma,]在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結型晶體管（BJT）是僅有的功率開關。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件。MOSFET是正溫度系數器件，而IGBT則不一定。MOSFET是多數載流子器件，因而是高頻應用...
2015-05-10

--BBS主題帖: 如何優化PCB設計以最大限度提高超級結MOSFET的性能

[font=宋體, arial]基于最近的趨勢，提高效率成為關鍵目標，為了獲得更好的EMI而采用慢開關器件的權衡并不值得。超級結可在平面MOSFET難以勝任的應用中提高效率。與傳統平面MOSFET技術相比，超級結MOSFET可顯著降低導通電阻和寄生電容。導通電阻的顯著降低和寄生電容的降低雖然有助于提高效率，但也產生...
2015-04-22

--BBS主題帖: 射頻低噪聲放大器電路設計詳解

[font=宋體, arial]　射頻LNA設計要求：低噪聲放大器（LNA）作為射頻信號傳輸鏈路的第一級，它的噪聲系數特性決定了整個射頻電路前端的噪聲性能，因此作為高性能射頻接收電路的第一級LNA的設計必須滿足：（1）較高的線性度以抑制干擾和防止靈敏度下降;（2）足夠高的增益，使其可以抑制后續級模塊的噪聲...
2015-04-05

--BBS主題帖: 開關電源電子電路設計組成與原理精析

[font=宋體, arial][b]開關電源的電路組成[/b][/font] [font=宋體, arial]　　開關電源的主要電路是由輸入電磁干擾濾波器（EMI）、整流濾波電路、功率變換電路、PWM控制器電路、輸出整流濾波電路組成。輔助電路有輸入過欠壓保護電路、輸出過欠壓保護電路、輸出過流保護電路、輸出短路保護電路等。開關...
2015-04-05

--BBS主題帖: MOSFET選擇策略詳解

[color=#333333][font=微軟雅黑, Tahoma,]在70年代晚期推出MOSFET之前，晶閘管和雙極結型晶體管（BJT）是僅有的功率開關。BJT是電流控制器件，而MOSFET是電壓控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一種電壓控制器件。MOSFET是正溫度系數器件，而IGBT則不一定。MOSFET是多數載流子器件，因而是高頻應用...
2015-04-04

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