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↓在 論壇帖子 中搜索到 157 條關于“SiC”的信息，用時:0.002 sec.

--BBS主題帖: Qorvo 將 GaN 應用于 Ka 波段以改善衛星網絡

[font=微軟雅黑, Tahoma,][size=14px]移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）日前宣布推出一款極具成本效益的高性能 Ka 波段 3W GaN 功率放大器，用于傳輸高速互聯網數據的商用 VSAT 衛星地面終端。 Qorvo 傳輸業務部總經理 Gorden Gook...
2015-10-13

--BBS主題帖: SiC集成技術在生物電信號采集設計

人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰。本文介紹采用IMEC的SiC技術，它的開發重...
2013-05-15

--BBS主題帖: GaN和SiC功率半導體市場未來十年將以18%的速度穩增

[font=Arial, 宋體]在未來十年，受[url=http://www.ht2010.com/search/?q=%B5%E7%D4%B4]電源[/url]、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅([url=http://www.ht2010.com/search/?q=SiC]SiC[/url])和氮化鎵([url=http://www.ht2010.com/search/?q=GaN]GaN[/url])功率[url=http://www.ht2010.com...
2013-05-07

--BBS主題帖: GaN和SiC功率半導體市場未來十年將以18%的速度穩增

[font=Arial, 宋體]在未來十年，受[url=http://www.ht2010.com/search/?q=%B5%E7%D4%B4]電源[/url]、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅([url=http://www.ht2010.com/search/?q=SiC]SiC[/url])和氮化鎵([url=http://www.ht2010.com/search/?q=GaN]GaN[/url])功率[url=http://www.ht2010.com...
2013-05-06

--BBS主題帖: GaN和SiC功率半導體市場未來十年將以18%的速度穩增

[font=Arial, 宋體]在未來十年，受[url=http://www.ht2010.com/search/?q=%B5%E7%D4%B4]電源[/url]、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅([url=http://www.ht2010.com/search/?q=SiC]SiC[/url])和氮化鎵([url=http://www.ht2010.com/search/?q=GaN]GaN[/url])功率[url=http://www.ht2010.com...
2013-04-27

--BBS主題帖: GaN和SiC功率半導體市場未來十年將以18%的速度穩增

在未來十年，受[url=http://www.ht2010.com/search/?q=%B5%E7%D4%B4][color=#0000ff]電源[/color][/url]、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅([url=http://www.ht2010.com/search/?q=SiC][color=#0000ff]SiC[/color][/url])和氮化鎵([url=http://www.ht2010.com/search/?q=GaN][color=#00...
2013-04-27

--BBS主題帖: SiC集成技術在生物電信號采集設計

人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰。本文介紹采用IMEC的SiC技術，它的開發重...
2013-04-25

--BBS主題帖: SiC集成技術在生物電信號采集設計

人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何將他們的體積縮小到病人可接受的程度還是一個不小的挑戰。本文介紹采用IMEC的SiC技術，它的開發重...
2013-04-09

--BBS主題帖: 第三代半導體面-SiC(碳化硅)器件及其應用

[align=left][color=#333333][font=宋體, Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif][b][url=http://blog.21ic.com/user1/4498/archives/2010/user_post.asp#SinaEditor_Temp_FontName]第三代半導體面-SiC(碳化硅)器件及其應用[/url][/b][/font][/color][/align][align=left]作為一種新型的半導體材料，S...
2010-11-22

--BBS主題帖: Transic推出SiC 20-A，600-V常閉晶體管

BitSiC0620開關電源雙極晶體管是一款SiC 20-A，600-V常閉晶體管。BJT具有低集射極飽和電壓，相比于Si IGBT技術而言，在相同的芯片面積情況下降低了60%的開態功耗。三極管具有30A的一個最大電流增益和600V的開放式擊穿電壓，其工作范圍在–80 到250C。該芯片是Si IGBT的替代方案，可應用于需要低功耗...
2008-05-23

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