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↓在 論壇帖子 中搜索到 146 條關于“SiGe”的信息，用時:0.002 sec.

--BBS主題帖: 高線性度SiGe下變頻混頻器

[font=Arial, Helvetica, sans-serif, 宋體][b]關鍵字：[url=http://www.ednchina.com/SEARCH/ART/%B8%DF%CF%DF%D0%D4%B6%C8.HTM]高線性度[/url] [url=http://www.ednchina.com/SEARCH/ART/SiGe.HTM]SiGe[/url] [url=http://www.ednchina.com/SEARCH/ART/%B1%E4%C6%B5%BB%EC%C6%B5%C6%F7.HTM]變頻混...
2014-04-11

--BBS主題帖: 鍺化硅（SiGe）技術在測試技術中的應用

[font=Tahoma, SimSun, Verdana, Arial]鍺化硅技術(Silicon germanium)從20世紀80年代問世以來，是一種高于普通硅器件的高頻半導體材料，應用領域非常廣泛，尤其在新一代移動設備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻器、低噪聲放大器（LNA）、前置放大器（Preamplifier）、WLAN功率放大器等。由于S...
2014-01-24

--BBS主題帖: SiGe推出可提升Wi-Fi性能的功率放大器SE2587L

SiGe 半導體公司推出一款全新功率放大器 SE2587L，該器件經特別設計，能夠優化 Wi-Fi 系統的性能，是接入點、個人電腦和 PC 卡的理想選擇。新推出的SE2587L 功率放大器乃基于SiGe 半導體經驗證的高性能架構，在業界領先的 +19dBm (802.11g 模式)和 +24dBm (802.11b 模式)發射功率級下，能夠提供...
2008-05-14

--BBS主題帖: Maxim推出815至1000MHz SiGe無源混頻器MAX2029

Maxim推出MAX2029業內性能最優、完全集成的815MHz至1000MHz SiGe無源混頻器。MAX2029專為2.5G/3G無線基礎結構應用而設計，提供空前的線性度、噪聲性能和部件集成的結合。配置為上變頻器時，IC可單獨提供39dBm的IIP3、71dBc的LO ?IF抑制，以及僅為6dB的變頻損耗。作為下變頻器使用時，MAX2029提供同樣強...
2008-02-01

--BBS主題帖: Maxim推出高增益低噪聲系數的SiGe BiCMOS LNA

Maxim針對GPS、伽利略以及GLONASS應用推出MAX2659高增益、低噪聲放大器(LNA)。該器件采用Maxim先進的、低功耗SiGe BiCMOS工藝設計，具有高達20.5dB的增益以及0.8dB的超低噪聲系數，同時分別將輸入參考1dB壓縮點和三階交調點降低至-12dBm和-2dBm。因此，MAX2659 SiGe BiCMOS LNA具有業界最高增益和最低噪...
2007-11-29

--BBS主題帖: SiGe推出全球導航衛星系統接收器SE411/120S

SiGe半導體公司推出世界上最小的全球導航衛星系統 (Global Navigation Satellite System, GNSS) 接收器IC，適用于手機、蜂窩電話、個人導航設備 (PND) 和個人數字助理產品 (PDA)。
2007-02-13

--BBS主題帖: SiGe推出最優化無線射頻前端模塊 SE2559L

SiGe宣布推出全新的無線射頻 (RF) 前端模塊 SE2559L。新模塊乃專為符合 802.11b/g 標準的 Wi-Fi® 系統而設，旨為提高這類系統的集成度并降低成本。這款 RF 前端模塊基于高度集成的架構，與其它競爭產品相比，尺寸縮小了約 60%。通過把功能高度集成化，SE2559L 省去了若干外部組件...
2006-07-20

--BBS主題帖: SiGe首個完整802.11n RF前端模塊SE2545A10

2月6日訊,SiGe半導體公司推出業界首個用于和IEEE 802.11n標準(草案)兼容的Wi-Fi®產品的完整的RF前端模塊SE2545A10.它集成了兩個完整雙頻帶發送/接收信號鏈,為制造商提供了完全測試的簡化設計的解決方案,并具有所需的集成度和效率,支持無線多媒體服務而不會影響到電池壽命,尺寸和性能.
2006-02-09

--BBS主題帖: 130nm 8HP:第四代硅鍺(SiGe) BiCMOS工藝

8月5日訊,IBM公司宣布它的第四代硅鍺工藝技術8HP具有比以前的工藝2X性能.這種稱為8HP的130nm硅鍺(SiGe)雙極互補金屬氧化物半導體(DiCMOS)工藝術能降到移動消費類電子產品和先進的高帶寬無線通信系統的成本,能助于創新應用如汽車防碰撞雷達.
2005-08-08

--BBS主題帖: HA31005/6:5GHz無線網絡終端SiGe MMIC

6月23日訊, 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出用于發射功率放大的高性能HA31005和用于接收無線電波的低噪聲放大器HA31006。這些采用SiGe工藝的低電流消耗的發射功率放大器MMIC和接收低噪聲放大器MMIC實現了1.5dB的低噪聲性能.瑞薩科技的首批用于無線網絡應用的MMIC產品的樣品將從2005年8月...
2005-06-29

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