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“半導(dǎo)體合成生物學(xué)”加速半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展

透過結(jié)合生物學(xué)與電子學(xué)的兩種不同電子流，可望為更精巧高效的處理器帶來突破性進(jìn)展。為了實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)創(chuàng)造混合“生物-半導(dǎo)體”系統(tǒng)從而推動(dòng)先進(jìn)資通訊技術(shù)進(jìn)展的目標(biāo)，美國(guó)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)Semiconductor Research Corp. (SRC)日前于北卡羅萊納州三角研究園(Research Triangle Park)發(fā)布一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體合成...
2013-10-28

一種鋰電池供電、低壓高亮度（HB） LED解決方案

1 概述高亮度(HB) LED目前已廣泛用于各種照明設(shè)備，其光輸出量(發(fā)光效率)通常以流明/瓦為單位計(jì)量，已經(jīng)超過了熒光燈的發(fā)光效率。而采用高容量、單節(jié)Li+電池驅(qū)動(dòng)高效率LED光源時(shí)，由于電池電壓僅為3V至4V,需要解決電源轉(zhuǎn)換問題。可靠性及安全特性使得HB LED成為電池備份照明系統(tǒng)(應(yīng)急照明等)的優(yōu)選方案...
2013-10-10

一種鋰電池供電、低壓高亮度（HB） LED解決方案

1 概述高亮度(HB) LED目前已廣泛用于各種照明設(shè)備，其光輸出量(發(fā)光效率)通常以流明/瓦為單位計(jì)量，已經(jīng)超過了熒光燈的發(fā)光效率。而采用高容量、單節(jié)Li+電池驅(qū)動(dòng)高效率LED光源時(shí)，由于電池電壓僅為3V至4V,需要解決電源轉(zhuǎn)換問題。可靠性及安全特性使得HB LED成為電池備份照明系統(tǒng)(應(yīng)急照明等)的優(yōu)選方案...
2013-10-10

美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管為航空應(yīng)用提供無與倫比的高功率性能

美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅(silicon carbide，SiC)襯底氮化鎵(gallium nitride，GaN)高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor，HEMT)技術(shù)的射頻(radio frequency，RF)功率晶體管系列。在全系列空中交通管制和防撞設(shè)備中，MDSGN-750ELMV...
2013-10-03

電子紙出彩觸控屏智能

平板顯示產(chǎn)業(yè)正邁入新發(fā)展階段的門檻，“新技術(shù)”與“新應(yīng)用”是推動(dòng)其進(jìn)一步發(fā)展的兩大引擎。在近期召開的“2013年臺(tái)灣平面顯示器展及臺(tái)北國(guó)際光電周”上，各路廠商推出了一系列代表未來趨勢(shì)的新技術(shù)產(chǎn)品，如彩色電子紙、大尺寸高分辨率電視面板、觸控面板等，而這些技術(shù)所助推的智能、綠色、環(huán)...
2013-09-14

NAND Flash持續(xù)缺貨、分享NAND Flash、SDRAM最合適替代品(

近來全球SDRAM顆粒價(jià)格漲勢(shì)兇猛，自第二季中旬起漲以來，至5日收盤為止，仍看不到報(bào)價(jià)有回跌的趨勢(shì)，主要原因在于日前現(xiàn)代(Hynix)正式減產(chǎn)旗下SDRAM產(chǎn)能達(dá)一半左右，而三星電子(Samsung)也同樣跟進(jìn)減少產(chǎn)能，造成整體SDRAM市場(chǎng)供給量頓時(shí)減少許多。因此，現(xiàn)代正式對(duì)下游客戶端調(diào)漲16Mb的SDRAM顆粒繼續(xù)漲...
2013-09-13

安森美半導(dǎo)體集成從收發(fā)器符合M-BUS遠(yuǎn)程抄表應(yīng)用之嚴(yán)格要求

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出一款新的集成從收發(fā)器，用于雙線式儀表總線(M-BUS)從設(shè)備及中繼器。NCN5150提供全部必需功能，符合描述遠(yuǎn)程抄表M-BUS應(yīng)用物理層要求的EN 13757-2和EN 1343-3標(biāo)準(zhǔn)，用于供暖及冷氣表、電表、水表和燃?xì)獗淼榷嗄軆x表應(yīng)用。NCN5150提供達(dá)38,400波特(baud)的通用異步接收...
2013-09-11

美國(guó)Alliance 替換三星，海力士

Alliance Memory 2006 年從Alliance Semiconductor(1985 年成立)分出來，總部位于美國(guó)，在英國(guó)、德國(guó)、法國(guó)、意大利、瑞典、北美、南美、日本、臺(tái)灣、中國(guó)均有工作人員及相應(yīng)的代理商；長(zhǎng)久以來Alliance專注于SDRAM、DDR1、DDR2、DDR3等產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)。Alliance一貫堅(jiān)持不改版、不停產(chǎn)、性價(jià)比高、交期...
2013-09-11

Vishay推出新款MOS勢(shì)壘肖特基整流器具有10A和15A器件中業(yè)內(nèi)最低的正向壓降

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。這兩款器件是業(yè)內(nèi)首批在10A和15A下的典型正向壓降低至0.40V和0.41V，兼具優(yōu)化的漏電流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封裝，可用于智能手機(jī)和平板電腦的充電器。Vishay Ge...
2013-09-04

聯(lián)發(fā)科、晨星38億美元聯(lián)姻行業(yè)整合大勢(shì)所趨

來源：第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào) 　　李娜吳斯丹　　在經(jīng)過三度延期后，聯(lián)發(fā)科(Mediatek Inc。)與晨星半導(dǎo)體(MStar Semiconductor Inc。)合并案近日取得商務(wù)部核準(zhǔn)通過，預(yù)計(jì)3個(gè)月內(nèi)雙方獲得工作方案核準(zhǔn)后，即可進(jìn)行合并案交割，目前暫定合并案基準(zhǔn)日為2014年2月1日，原換股比例不變。　　該案是IC半...
2013-08-29

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