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TLC遭棄用傳三星為新iPhone提供NAND閃存芯片

來源：中關(guān)村在線　　據(jù)韓媒報(bào)道，由于iPhone 6和iPhone 6 Plus使用TLC閃存后出現(xiàn)了宕機(jī)問題，蘋果已經(jīng)決定停用TLC NAND閃存技術(shù)。最新消息顯示，三星可能會(huì)接手iPhone的閃存供應(yīng)。　　據(jù)悉，蘋果正在考慮在新款iPhone和Apple Watch中使用三星生產(chǎn)的元器件，其中iP...
2014-11-28

NOR型flash與NAND型flash的區(qū)別

1)閃存芯片讀寫的基本單位不同應(yīng)用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對(duì)大容量NOR閃存的管理，通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊，有時(shí)候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時(shí)需要同時(shí)指定邏輯塊號(hào)和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū)AND芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比...
2014-10-22

旺宏 SLC NAND FLASH問世

旺宏NAND FLASH由于技術(shù)和工藝的難度，市場(chǎng)一直被三星、海力士、美光等少數(shù)半導(dǎo)體企業(yè)所瓜分。中國臺(tái)灣雖然在存儲(chǔ)領(lǐng)域耕耘多年，但一直為涉足NAND FLASH領(lǐng)域。中國臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)多年技術(shù)的積累和革新，臺(tái)灣旺宏不甘落后，2012年推出了75nm、512Mb的SLC NAND FLASH。值得驕傲的是旺宏新技術(shù)、新容量的產(chǎn)...
2014-10-16

10nm級(jí)MLC NAND SAS固態(tài)硬盤問世

關(guān)鍵字：SAS固態(tài)硬盤存儲(chǔ)芯片 SM1623 三星全球存儲(chǔ)器領(lǐng)軍者三星電子8月7日宣布，已開始量產(chǎn)基于10納米級(jí)MLC NAND閃存的全新高性能SAS固態(tài)硬盤。三星電子存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)營銷部負(fù)責(zé)人白智淏常務(wù)表示：“隨著SAS固態(tài)硬盤的推出，我們?cè)谄髽I(yè)級(jí)存儲(chǔ)固態(tài)硬盤市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力得到了...
2014-08-09

金牌代理大盛唐電子推薦SDRAM/NAND FLASH替換型號(hào)

金牌代理大盛唐電子推薦SDRAM/NAND FLASH替換型號(hào) AS4C4M16S-xxT （4M x 16）完美兼容： Hynix HY57V641620ET-xxX Samsung K4S641632N- Ucxx AS4C8M16S-xxT （8M*16）完美兼容： Hynix H57V1262GTR- xxX Samsung K4S281632K- Ucxx AS4C16M16S-xxT （16M*16）完美兼容： Hynix H57...
2014-06-02

三星使用V-NAND技術(shù)加大固態(tài)硬盤存儲(chǔ)能力

據(jù)國外媒體報(bào)道，三星使用最新存儲(chǔ)技術(shù)加大了新的1TB固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)能力。該固態(tài)硬盤主要面向高端個(gè)人電腦，采用三星第二代V-NAND技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)使得儲(chǔ)存芯片可以垂直疊放。三星同時(shí)發(fā)布了128GB, 256GB和 512GB的固態(tài)硬盤。在手提電腦上，1TB的固態(tài)硬盤存儲(chǔ)量還可以少量增加，目前可以最多增加512G的容...
2014-06-01

小體積NAND FLASH韓國ATO

　韓國ATO Solution公司是一家專業(yè)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品制造商，其產(chǎn)品線有SLC NAND FLASH、SPI NAND FLASH、Consumer MCP、Mobile MCP等，有工業(yè)級(jí)和商業(yè)級(jí)，產(chǎn)品通過ISO9001：2000和ISO14001：2004，韓國ATO產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于測(cè)量?jī)x表、導(dǎo)航測(cè)繪、醫(yī)療監(jiān)控、電力監(jiān)控、消費(fèi)電子、數(shù)碼相機(jī)等眾多領(lǐng)域。 ※ ...
2014-05-22

三星宣布量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片

三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，...
2014-05-21

NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤，結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選者：相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(ST...
2014-05-15

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品

符合JEDEC UFS 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式存儲(chǔ)器將高達(dá)64GB的NAND和控制器融合于單一封裝內(nèi)東芝公司旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業(yè)內(nèi)率先提供此產(chǎn)品[2]。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能—...
2014-05-09

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