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↓在 博客日志 中搜索到 39 條關于“APEC”的信息，用時:0.002 sec.

Ministry of Foreign Affairs to Haiti, China will further consider providing assi

's Permanent Representative to the United Nations hosted a number of the Review Conference on Haiti,abercrombie france, and the parties to work together to promote the Security Council adopted Resolution 1908. The resolution decided to additional 3,sac longchamp,500 peacekeepers ...
2013-04-20

Xi Jinping Meets with New Zealand Deputy Prime Minister Bill English _ News

's second largest trading partner and largest source of overseas students in the country and the fastest growing market overseas visitors,oakley. The two countries have maintained close communication and coordination in the United Nations, APEC, the East Asia Summit and other mul...
2013-04-19

we should promote the use of renewable energy

'meeting of the Xinhua Tokyo, May 22 22 Conference Declaration reads as follows: Declaration fourth trilateral leaders' meeting in May 2011 (May 22, 2011, Tokyo, Japan) 22, we, the People's Republic of China, Japan and the Republic of Korea leaders meet in Tokyo,oakley lunettes, ...
2013-04-19

有源鉗位轉換技術簡介

有源鉗位轉換技術鉗位技術的分類：有源鉗位（Active CLAMP）技術:有源鉗位技術要比無源技術好，所以本章只介紹有源鉗位技術。無源鉗位技術:如RCD鉗位技術和LCD鉗位技術，其缺點是開通損耗或通態損耗較大；　　圖1給出了早期有源LC吸收網絡（日本Sekino，1974）在正激式轉換器中的應用。它由D1、D2、D3、...
2012-08-04

混合型多電平逆變器電路設計分析

1、引言多電平逆變器由于輸出電壓du-dt小、諧波含量低等優點，在高壓大功率變換領域得到廣泛應用[1,2]。級聯型多電平逆變器是最早的多電平逆變結構，1980年出現了二極管箝位型多電平逆變器[3]，1992年，T.A. Meynard提出了電容箝位型多電平逆變器[4]。由于級聯型多電平逆變器不存在直流側電容電位不平...
2012-06-27

得益于晶圓減薄工藝與創新的封裝，功率MOSFET在不斷進步

.導通電阻與柵極電荷規格的改善正在變得更難以實現和更昂貴。2.作為功率開關器件的選擇，硅遠未到死亡盡頭，仍然還有發展余地。3.對性能增強的探索來自于晶圓減薄和封裝創新。SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)是使用寬帶隙半導體的新型開關功率晶體管，它們很可能會持續顯著地增加功率轉換效率(參考文獻1)。但...
2012-05-19

從旗袍秀之爭看中西服裝政治

從旗袍秀之爭看中西服裝政治近年來，著裝已然成為中國兩會上的一道景觀。從代表委員，到媒體記者、主持人以及有關工作人員，他們的著裝匯聚起來，可堪稱一場“視覺盛宴”。今年全國兩會，浙江女代表原打算要為這場“盛宴”添加一...
2012-03-17

最高能效，最低成本: BC²

最高能效，最低成本: BC² Benoît PERON, Bertrand RIVET, Aurélien HAMADOU STMicroelectronics, 16 rue Pierre et Marie Curie, 37071 TOURS cedex 2, FRANCE 摘要本文論述一個新穎的簡單的適用于各種類型硬開關功率轉換器的電能回收電路，這個電路只需使用幾個意法半導...
2011-09-21

第三代碳化硅肖特基二極管 | 2009-7-26 12:24:00

英飛凌在應用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業界最低的器件電容，可在高開關頻率和輕負載條件下提升整個系統的效率，從而幫助降低電源轉換系統成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業界種類最為齊...
2009-09-04

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