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研究人員開發出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導體

比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實現混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物。隨著晶片微縮即將接近原子級的限制，業界致力于提高晶片性能與降低功耗的...
2013-11-12

聯發科技ISSCC論文入選再創新高董事長蔡明介將發表專題演講

聯發科技股份有限公司今天宣布, 今年共有八篇論文獲「IEEE國際固態電路研討會」 (IEEE International Solid-State Circuit Conference，簡稱ISSCC) 入選殊榮，此紀錄不僅為臺灣第一，更創半導體產業新高，再次證明聯發科技在前瞻技術研發方面的領先地位。為此，董事長蔡明介先生將受邀于2014年ISSCC年度...
2013-11-10

指紋識別技術的基本原理及過程

盡管指紋識別技術已經進入了民用領域，但是其工作原理其實還是比較復雜的。與人工處理不同，生物識別技術公司不直接存儲指紋的圖像。多年來，各生物識別技術公司及其研究機構研究了許多指紋識別算法(美國有關法律認為，指紋圖像屬于個人隱私，因此不能直接存儲指紋圖像)。但各種識別算法最終都歸結為在...
2013-11-08

采用RF功率放大器實現下一代無線系統

關鍵字：RF 功率放大器無線系統技術背景現代無線手持通信無線電(包括射頻(RF)功率放大器(PA)在內)均是在深亞微米CMOS中得以實現。不過，在無線基礎設施系統中，由于需要較大的輸出功率等級，必須通過硅LDMOS或混合技術(如GaA和更先進的GaN)才能實現RF PA.對下一代可重新配置的基...
2013-11-07

WLAN應用的2.45GHz LNA的設計

關鍵字：WLAN 2.45GHz LNA 摘要：本文介紹了用于WLAN應用的2.45GHz LNA的設計，滿足802.11b/g標準要求，并給出增益、噪聲系數、輸入和輸出回波損耗以及線性特性曲線圖。MAX2645是一款鍺化硅(SiGe)低噪聲放大器(LNA)，具有25dB增益步進、關斷模式和可調的IP3值。LNA已經被優化去改善...
2013-11-07

RAM存儲器基本特性與工作原理

1基本簡介 SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功...
2013-10-31

在非隔離應用中將數字隔離器用作電平轉換器

關鍵字：非隔離應用數字隔離器電平轉換器 iCoupler數字隔離器廣泛用于跨越隔離柵傳輸數字信號。某些情況下，數字隔離器在非隔離應用中也非常有用。–48V DC-DC電源在通信電源應用中，標準電軌為–48V直流，且原邊控制信號以該電軌為參考。副邊控制信號通常是以地為參考的低電壓I...
2013-10-29

“半導體合成生物學”加速半導體技術發展

透過結合生物學與電子學的兩種不同電子流，可望為更精巧高效的處理器帶來突破性進展。為了實現這項創造混合“生物-半導體”系統從而推動先進資通訊技術進展的目標，美國半導體研究機構Semiconductor Research Corp. (SRC)日前于北卡羅萊納州三角研究園(Research Triangle Park)發布一項名為“半導體合成...
2013-10-28

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