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↓在 電子百科 中搜索到 110 條關于“CMOS”的信息，用時:0.003 sec.

阻變存儲器集成

作為新型非揮發性存儲器中的一員，RRAM要能夠與現在主流的浮柵flash競爭，除了要將存儲性能做到和flash相當之外。RRAM必須利用高集成密度的優勢來降低成本，從而獲取市場份額。一般認為，RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中，使...
2016-10-12

電化學金屬化機制

電化學金屬化(electrochemical metallization)機制，簡寫成ECM模型。這種模型主要是針對固態電解液基RRAM提出的，這類RRAM器件需要特殊的上、下電極材料，通常一端為電化學活性電極(如Ag、Cu和Ni等)，另一端為輔助電極，通常由電化學惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構成。該類RRAM的電阻轉變現象...
2016-08-04

襯底調制效應

襯底調制效應義稱體效應或背柵效應。在前節的分析中，是將源極與襯底短接在一起，使VBS=0。當源極與襯底的電位不相等時，會對MOS管的性能產生影響。在CMOS集成電路中，為使器件相互之間處于隔離狀態，襯底與各管的源漏區之間的PN結均應處于反偏。一般將NMOS管的P型襯底...
2016-06-21

無源陣列結構

相比于有源結構單元，由于具有最小的單元面積4F2，無源交叉陣列結構被認為是存儲器最經濟的集成方式。在交叉陣列結構中，通過相互交叉的字線和位線構成的上下電極來實現存儲單元的選擇。無源交叉陣列結構的RRAM制備工藝簡單，能夠有效地提高器件良率，降低成本。采用無源交叉陣列集成可以將單元面...
2016-06-15

CMOL FPGA結構

Strukov和Likharev提出了如圖所示的CMOL FPGA結構。底層由面積為A＝(2？FCMOS)2的CMOS基本電路單元構成。由于L=2(?FCMOS)2／Fnano是兩個與同一根輸出納米線相連的CMOS單元的輸出接口引腳的最小距離，即如果輸出納米線的間距大于L，那么一根輸出納米線將不能保證只...
2016-06-15

標準邏輯器件

標準邏輯器件是具有標準邏輯功能的通用SSI、MSI集成電路，例如11幾工藝的54／74系列和隨后發展起來的CMOS工藝的CD 4000系列中的各種基本邏輯門、觸發器、選擇器分配器、計數器、寄存器等。標準邏輯器件的生產批量大、成本低。由于其功能完全確定，電路設計時可將...
2016-05-24

TSV封裝

硅通孔技術（TSV，Through -Silicon-Via）是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間垂直導通，實現芯片之間互連的新技術。與以往的IC封裝鍵合和使用凸點的疊加技術不同，TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗性能。 TSV與常規封裝技術有一個明顯的不同點...
2014-01-16

FinFET

鰭式場效應晶體管(Fin Field-Effect Transistor)被稱為FinFET，是一種新的互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管，閘長可小于20nm，未來預期可以進一步縮小至9nm。在傳統晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬于平面結構。在FinFET架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D結...
2014-01-16

感應器

傳感器是接收信號或刺激并反應的器件，能將待測物理量或化學量轉換成另一對應輸出的裝置。用于自動化控制、安防設備等。詞語解釋學科：生物學詞目：感應器英文：inductorium 釋文：在刺激主理學中，為獲得電刺激，這段時間多使用電子學的刺激裝置。而很早以來所用的一種裝置，是感應線圈的一種...
2013-06-09

LCD顯示器

液晶顯示器，或稱LCD（Liquid Crystal Display），為平面超薄的顯示設備，它由一定數量的彩色或黑白像素組成，放置于光源或者反射面前方。液晶顯示器功耗很低，因此倍受工程師青睞，適用于使用電池的電子設備。它的主要原理是以電流刺激液晶分子產生點、線、面配合背部燈管構成畫面。 LCD（ Liquid Cry...
2013-06-06

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