高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。近幾年，開關(guān)整流器的功率容量不斷擴(kuò)大，單機(jī)容量己從48V/12.5A、48V/20A擴(kuò)大到48V/200A、48V/400A。高頻開關(guān)電源是傳統(tǒng)整流器（硅整流器 ，可控硅整流器）的升級(jí)替代產(chǎn)品。... （來源：電子百科頻道）
高頻開關(guān)電源開關(guān)頻率 2013-3-22 13:43
定義 推挽電路就是兩不同極性晶體管連接的輸出電路。推挽電路采用兩個(gè)參數(shù)相同的功率 BJT 管或MOSFET 管，以推挽方式存在于電路中，各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù)，電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。... （來源：電子百科頻道）
推挽電路晶體管功率 2011-11-3 11:55
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫，平面型器件結(jié)構(gòu)，按照導(dǎo)電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS器件基于表面感應(yīng)的原理，是利用垂直的柵壓VGS實(shí)現(xiàn)對(duì)水平IDS的控制。它是多子（多數(shù)載流子）器件。用跨導(dǎo)描述其放大能力。典型的鋁柵MOS器件的平面和剖面結(jié)構(gòu)如圖所示。... （來源：電子百科頻道）
N溝MOSFET 2010-11-29 16:27
以SiO2為柵介質(zhì)時(shí)，叫MOS器件，這是最常使用的器件形式。歷史上也出現(xiàn)過以Al2O3為柵介質(zhì)的MAS器件和以Si3N4為柵介質(zhì)的MNS器件，以及以SiO2+Si3N4為柵介質(zhì)的MNOS器件，統(tǒng)稱為金屬-絕緣柵-半導(dǎo)體器件--MIS器件。 以Al為柵電極時(shí)，稱鋁柵器件。以重?fù)诫s多晶硅(Poly-Si)為柵電極時(shí)，稱硅柵器件。它是當(dāng)前MO... （來源：電子百科頻道）
MIS器件 2010-11-29 15:14
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