連續介質模型主要根據體系中的宏觀現象(如載流子擴散、漂移等)表征器件狀態，而不必涉及體系中具體每一個粒子的微觀運動行為。這類模型采用的方法與經典半導體物理體系下pn結、晶體管等求解電流電壓特性的方法類似，一般是通過聯立載流子連續性方程、泊松方程等對阻變存儲器件阻變過程進行描述，... （來源：電子百科頻道）
連續介質模型 2017-8-30 14:17
阻變存儲器(RRAM)的基本結構為上下電極以及電阻轉變層組成的“三明治”結構，如圖所示。電阻轉變層材料在電激勵的作用下會出現不同電阻狀態，以此來實現數據存儲。這和相變存儲器類似，但不同的是相變存儲器中采用相變材料，在電阻變化過程中材料的晶體結構發生了變化；而在RRAM中，電阻變化過程... （來源：電子百科頻道）
RRAM 2017-8-30 13:21
鐵電體的晶體具有自發極化強度，并且自發極化強度的方向可以隨外加電場的方向而重新取向。鐵電存儲器正是利用了鐵電體的這種特性。在鐵電材料中，晶體中心位置的原子有兩個穩定的狀態。在外加電場下，中心原子可以從原來的位置越過勢壘達到另一個位置。而存儲的狀態就由中心原子的位置來進行存儲... （來源：電子百科頻道）
鐵電體 2017-8-30 13:18
可調電感器有半導體收音機用振蕩線圈、電視機用行振蕩線圈、行線性線圈、中頻陷波線圈、音響用頻率補償線圈、阻波線圈等， 1．半導體收音機用振蕩線圈此振蕩線圈在半導體收音機中與可變電容器等組成本機振蕩電路，用來產生一個輸入調諧電路接收的電臺信號高出465kHz的本振信號。其外部為金屬屏蔽... （來源：電子百科頻道）
可調電感器振蕩線圈阻波線圈 2017-2-27 15:58
有一類十分有趣的晶體，當你對它擠壓或拉伸時，它的兩端就會產生不同的電荷。這種效應被稱為壓電效應。能產生壓電效應的晶體就叫壓電晶體。水晶（α-石英）是一種有名的壓電晶體。 如果按一定方向對水晶晶體上切下的薄片施加壓力，那么在此薄片上將會產生電荷。如果按相反方向拉伸這一薄片，在此... （來源：電子百科頻道）
壓電晶體壓電效應石英振子 2017-2-16 10:16
可關斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。 前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發之后，撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強近關斷。這就... （來源：電子百科頻道）
可關斷晶閘管門控晶閘管巨型晶體管 2017-2-9 15:51
針對基于傳統FPGA中SRAM架構的揮發性缺點，如果將SRAM變為非揮發性的SRAM，即可以擁有SRAM連續高速數據寫入的優點，又可以確保斷電后不丟失數據，保證數據的安全。目前已有關于采用NVSRAM編程的FPGA的報道，如基于鐵電存儲器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無需外置非揮發存儲器等優點。... （來源：電子百科頻道）
FPGA技術RRAM存儲單元鐵電存儲器 2016-10-13 13:54
RRAM的器件性能與電學操作方法有關，即與器件的forming、SET、RESET過程中具體外加電壓／電流信號的方式有關。在RRAM器件的研究工作中，通常使用直流電壓掃描方式(VSM)來對器件單元進行基本的操作，獲取器件的電阻轉變參數。這種方法的優點是操作簡單，而且比較直觀。然而在采用直流電壓掃描的方... （來源：電子百科頻道）
PRAM器件限流器 2016-10-13 13:53
作為新型非揮發性存儲器中的一員，RRAM要能夠與現在主流的浮柵flash競爭，除了要將存儲性能做到和flash相當之外。RRAM必須利用高集成密度的優勢來降低成本，從而獲取市場份額。 一般認為，RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中，使... （來源：電子百科頻道）
存儲器 2016-10-12 13:52
數字集成電路的廣泛應用為當今社會的信息化做出了巨大貢獻。從早期的電子管、晶體管、小中規模集成電路發展到超大規模集成電路(very large scale interg-ration，VLSI，幾萬門以上)以及許多具有特定功能的專用集成電路，數字集成電路在不斷地進行更新換代。隨著微電子技術的發展，... （來源：電子百科頻道）
FPGA技術數字集成電路邏輯器件 2016-8-4 10:20
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