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連續介質模型主要根據體系中的宏觀現象(如載流子擴散、漂移等)表征器件狀態，而不必涉及體系中具體每一個粒子的微觀運動行為。這類模型采用的方法與經典半導體物理體系下pn結、晶體管等求解電流電壓特性的方法類似，一般是通過聯立載流子連續性方程、泊松方程等對阻變存儲器件阻變過程進行描述，... （來源：電子百科頻道）
連續介質模型 2017-8-30 14:17
可調電感器有半導體收音機用振蕩線圈、電視機用行振蕩線圈、行線性線圈、中頻陷波線圈、音響用頻率補償線圈、阻波線圈等， 1．半導體收音機用振蕩線圈此振蕩線圈在半導體收音機中與可變電容器等組成本機振蕩電路，用來產生一個輸入調諧電路接收的電臺信號高出465kHz的本振信號。其外部為金屬屏蔽... （來源：電子百科頻道）
可調電感器振蕩線圈阻波線圈 2017-2-27 15:58
可關斷晶閘管GTO（GateTurn-OffThyristor）亦稱門控晶閘管。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。 前已述及，普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發之后，撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強近關斷。這就... （來源：電子百科頻道）
可關斷晶閘管門控晶閘管巨型晶體管 2017-2-9 15:51
針對基于傳統FPGA中SRAM架構的揮發性缺點，如果將SRAM變為非揮發性的SRAM，即可以擁有SRAM連續高速數據寫入的優點，又可以確保斷電后不丟失數據，保證數據的安全。目前已有關于采用NVSRAM編程的FPGA的報道，如基于鐵電存儲器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無需外置非揮發存儲器等優點。... （來源：電子百科頻道）
FPGA技術RRAM存儲單元鐵電存儲器 2016-10-13 13:54
RRAM的器件性能與電學操作方法有關，即與器件的forming、SET、RESET過程中具體外加電壓／電流信號的方式有關。在RRAM器件的研究工作中，通常使用直流電壓掃描方式(VSM)來對器件單元進行基本的操作，獲取器件的電阻轉變參數。這種方法的優點是操作簡單，而且比較直觀。然而在采用直流電壓掃描的方... （來源：電子百科頻道）
PRAM器件限流器 2016-10-13 13:53
作為新型非揮發性存儲器中的一員，RRAM要能夠與現在主流的浮柵flash競爭，除了要將存儲性能做到和flash相當之外。RRAM必須利用高集成密度的優勢來降低成本，從而獲取市場份額。 一般認為，RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中，使... （來源：電子百科頻道）
存儲器 2016-10-12 13:52
數字集成電路的廣泛應用為當今社會的信息化做出了巨大貢獻。從早期的電子管、晶體管、小中規模集成電路發展到超大規模集成電路(very large scale interg-ration，VLSI，幾萬門以上)以及許多具有特定功能的專用集成電路，數字集成電路在不斷地進行更新換代。隨著微電子技術的發展，... （來源：電子百科頻道）
FPGA技術數字集成電路邏輯器件 2016-8-4 10:20
對單管RRAM存儲器件，RRAM阻變存儲器從高阻態向低阻態轉換時，通常要在器件兩端施加限制電流。主要是因為在RRAM存儲器件從高阻態轉變到低阻態后，流經器件的電流會突然增大，如果不在器件兩端設置一定的限制電流，會造成器件的永久擊穿。為了實現RRAM存儲器件在從高阻態向低阻態轉變過程中... （來源：電子百科頻道）
有源陣列結構RRAM存儲器件 2016-8-4 10:18
電子散粒噪聲與穿過勢壘的載流子通道有關，通常來說這一過程是非平穩和非周期的，不可預知。電流服從泊松分布，僅當樣本數量很大時，泊松分布才能被高斯分布代替，這些電流出現在半導體二極管、結式晶體管和光敏二極管的PN結中。 電子散粒噪聲和前面描述... （來源：電子百科頻道）
電子散粒噪聲半導體二極管 2016-6-8 11:22
場效應晶體管(Field—Effect Transistor)簡稱FET，也是一種具有PN結結構的半導體器件，但它與普通半導體三極管的不同之處在于是電壓控制器件。場效應晶體管主要有結型和絕緣柵型(MOS)兩大類。 （來源：電子百科頻道）
2016-5-3 16:15
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