為了改善電化學電容器中導電聚合物電極的性能，導電聚合物經常與碳H07。甚至與金屬氧化物形成復合材料。與碳形成的復合材料在改善電極的比容量和功率容量方面尤為有效。復合材料中碳的存在使得電極更易于導電，尤其是當聚合物處于導電性較差的中性狀態(未摻雜狀態)時。就ECP／CNT復合電極而... （來源：電子百科頻道）
電化學電容器 2017-9-22 14:35
ECP基非對稱型電化學電容器是利f}{P型摻雜的導電聚合物為正極，活性炭作為負極的一種電容器。對于Ⅲ型超級電容器采稅，這種結構消除了確定穩定的ll型摻雜的導電聚合物電極的難度。許多導電聚合物包括PMT[97，145。14 9{、PFPT¨6 3。、PEDOT。1圳和PA—N1¨“l成功地運用于使用非水... （來源：電子百科頻道）
ECP基 2017-9-22 14:33
邊界遷移模型最早由Strukov等提出，最初用于實現憶阻器具有的電路特性，該模型由位于兩端的金屬電極和中間的摻雜半導體薄膜組成，如圖所示。電極間的半導體薄膜由于基體中載流子濃度不同而分為低電阻的高摻雜濃度區和高電阻的低摻雜濃度區，結構兩端加載的偏壓驅使高、低摻雜濃度區間的邊界發生遷... （來源：電子百科頻道）
邊界遷移 2017-9-12 13:48
與連續介質模型求解系統宏觀物理量變化不同，隨機模型是將阻變過程中器件狀態的變化與系統中粒子的微觀運動聯系起來，通過描述阻變器件系統中每個粒子的微觀變化過程得到器件的狀態變化。微觀粒子狀態轉變具有隨機性，通常采用蒙特卡羅(Monte Carlo，MC)方法模擬計算。一般地，隨機模型考慮... （來源：電子百科頻道）
隨機模型 2017-8-30 14:18
（來源：電子百科頻道）
2017-8-30 13:24
阻變存儲器(RRAM)的基本結構為上下電極以及電阻轉變層組成的“三明治”結構，如圖所示。電阻轉變層材料在電激勵的作用下會出現不同電阻狀態，以此來實現數據存儲。這和相變存儲器類似，但不同的是相變存儲器中采用相變材料，在電阻變化過程中材料的晶體結構發生了變化；而在RRAM中，電阻變化過程... （來源：電子百科頻道）
RRAM 2017-8-30 13:21
磁性存儲器是利用材料的巨磁阻效應來實現數據存儲的器件。巨磁阻效應(giant magnetoresistance，GMR)指磁性材料的電阻率在外磁場作用時會發生巨大變化的現象，它產生于鐵磁材料和非鐵磁材料薄層交替疊合的磁性材料結構中。當鐵磁層的磁矩相互平行時，載流子與自旋有關的散射最小。材料有最小... （來源：電子百科頻道）
磁性存儲器 2017-8-30 13:19
鐵電體的晶體具有自發極化強度，并且自發極化強度的方向可以隨外加電場的方向而重新取向。鐵電存儲器正是利用了鐵電體的這種特性。在鐵電材料中，晶體中心位置的原子有兩個穩定的狀態。在外加電場下，中心原子可以從原來的位置越過勢壘達到另一個位置。而存儲的狀態就由中心原子的位置來進行存儲... （來源：電子百科頻道）
鐵電體 2017-8-30 13:18
新型元器件是指利用新原理、新技術、新工藝或新材料制造的具有新結構、新功能、新用途，能夠促進民族經濟信息化，促進電子技術和整機更新換代的新一代電子元器件。其特征是：微小型化、多功能、綠色化，有良好的市場應用前景，可實現規模化生產并形成產業。 今后新型元器件發展的重點是： ◆表... （來源：電子百科頻道）
新型元器件陶瓷電容器片式電阻器 2017-3-16 13:34
利用霍耳效應原理工作的半導體器件稱為霍耳器件。它是一塊有四個歐姆接觸的長方形半導體晶片，稱為霍耳片。其中兩個歐姆接觸在霍耳片的兩端，稱為控制電流極，另外兩個點狀歐姆接觸對稱地位于兩側面的中點，稱為霍耳電勢極。當從控制電流極通以電流（稱為控制電流），并在霍耳片的垂直方向加磁場... （來源：電子百科頻道）
霍耳器件半導體器件歐姆電阻 2017-2-10 15:34
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