利用霍耳效應原理工作的半導體器件稱為霍耳器件。它是一塊有四個歐姆接觸的長方形半導體晶片，稱為霍耳片。其中兩個歐姆接觸在霍耳片的兩端，稱為控制電流極，另外兩個點狀歐姆接觸對稱地位于兩側面的中點，稱為霍耳電勢極。當從控制電流極通以電流（稱為控制電流），并在霍耳片的垂直方向加磁場... （來源：電子百科頻道）
霍耳器件半導體器件歐姆電阻 2017-2-10 15:34
NAND閃存芯片 NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND正被證明極具吸引力。 基本介紹 NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們... （來源：電子百科頻道）
2013-3-15 10:53
簡介 隨著單色 OLED 的性能逐漸成熟，白光 OLED （ whiteorganic light-emitting diodes, WOLED ）作為一種新型的固態光源，在照明和平板顯示背光源等方面展現了良好的應用前景，已經吸引了人們越來越多的注意。 1994 年，日本的 Kido 等人制備了第一塊 WOLED ，在器件中同時包含... （來源：電子百科頻道）
WOLED 2011-12-29 17:25
百科名片 歐姆接觸是指金屬與半導體的接觸，而其接觸面的電阻值遠小于半導體本身的電阻，使得組件操作時，大部分的電壓降在活動區(Active region)而不在接觸面。歐姆接觸在金屬處理中應用廣泛，實現的主要措施是在半導體表面層進行高摻雜或者引入大量復合中心。 ... （來源：電子百科頻道）
歐姆接觸 2011-11-11 09:51
非晶硅薄膜太陽能電池（即非晶硅太陽能電池，amorphous silicon solar cell ）是用沉積在導電玻璃或不銹鋼襯底上的非晶硅薄膜制成的太陽能電池，又被稱為a-Si太陽能電池、無定型硅太陽能電池 。非晶硅又稱無定形硅或玻璃硅(a一Si)。非晶硅中的硅原子是一種近程有序、遠程無序的排列，其間存在著大量的懸... （來源：電子百科頻道）
非晶硅薄膜太陽能電池非晶硅太陽能電池a-Si太陽能電池無定型硅太陽能電池 2011-9-8 16:43
場效應管是通過改變外加電壓產生的電場強度來控制其導電能力的半導體器件。 它不僅具有雙極型三極管的體積小,重量輕,耗電少,壽命長等優點,而且還具有輸入電阻高,熱穩定性好,抗輻射能力強,噪聲低,制造工藝簡單,便于集成等特點.因而,在大規模及超大規模集成電路中得到了廣泛的應用.根據結構和工作原理不... （來源：電子百科頻道）
JFET 2010-11-30 13:22
場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數載流子參與導電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～10... （來源：電子百科頻道）
漏極 2010-11-29 17:51
根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態，加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。 N溝道增強型MOSFET基本上是一種左右對稱的拓撲結構，它是在P型半導體上生成一層SiO2 薄膜絕緣層，然后用光刻工藝... （來源：電子百科頻道）
增強型MOS晶體管 2010-11-29 15:05
TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜場效應晶體管LCD，是有源矩陣類型液晶顯示器(AM-LCD)中的一種。 和TN技術不同的是，TFT的顯示采用“背透式”照射方式——假想的光源路徑不是像TN液晶那樣從上至下，而是從下向上。這樣的作法是在液晶的背部設置特殊光管，光源照射時通過下偏光板向上透出。由于上下夾... （來源：電子百科頻道）
TFT-LCD 2010-11-29 14:53
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