史上最快的閃存器件,復旦團隊造! 其研發的皮秒閃存器件“破曉(PoX)”登上了Nature,擦寫速度達到了亞納秒級,比現有速度快1萬倍。 并且數據不易丟失,按照實驗外推結果,保存年限可達十年以上。 具體來看,基于一些新的發現,作者把傳統閃存中的硅替換成了石墨烯等二維材料... (來源:技術文章頻道)
閃存 2025-4-23 11:50
氧化鎵(Ga2O3)探測器是一種基于超寬禁帶半導體材料的光電探測器,主要用于日盲紫外光的探測。其獨特的物理化學特性使其在多個應用領域中展現出廣泛的前景。探測器性能由于材料不同、結構不同、制備工藝以及應用場景的不同的區別會有較大的性能差異。而性能指標之間往往存在制約,例如暗電流和輸出電流... (來源:技術文章頻道)
超寬禁帶半導體材料光電探測器 2024-11-15 10:00
在半導體領域,電源管理是一個很“卷”的市場,這是不爭的事實。一方面,眾多半導體廠商都在追求更高的效率、更緊湊的封裝、更高的能量密度之路上狂奔,力求打造出更為“極致”的產品;而另一方面,傳統硅(Si)基器件,已經越來越接近性能的天花板,從其身上可以榨取的附加值也越來越少。在這樣的大背... (來源:技術文章頻道)
電源管理SiC技術 Nexperia 2024-9-5 10:35
光伏電池是利用光生伏特效應(Photovoltaic Effect,簡稱光伏效應)將光能轉換為電能的器件。它與干電池、蓄電池和燃料電池等類型的電池不同,不能將欲轉換的能量事先存儲起來,而只能將接受的光能馬上轉換為電能。所謂的光生伏特效應就是太陽光照射在半導體材料上面,將電子從共價鍵中激發出來形成電子... (來源:技術文章頻道)
光伏電池 2024-5-7 09:40
在高功率應用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是,與硅快速恢復二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導體)如何將先進的器件結構與創新工藝技術結合在一起,以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。合... (來源:技術文章頻道)
碳化硅 肖特基二極管 Nexperia 2023-6-16 15:09
自從寬帶隙材料被引入各種制造技術以來,通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現高效率。為了優化可控制造技術,可以使用特定的導通電阻來控制系統中的大部分功率器件。對于功率 MOSFET,導通電阻仍然是優化和摻雜其單元設計的關鍵參數。電導率的主要行業標準是材料技術中的特定導通電... (來源:技術文章頻道)
SiC 功率二極管 寬帶隙半導體器件 2023-4-12 10:17
作者:南敬昌,黎淑蘭,劉元安,唐碧華,來源:趨勢與展望對當前各種類型射頻微波晶體管的結構特點、性能和應用情況進行了分析和綜述。對晶體管的發展歷史進行了全面而細致的回顧,指明了今后射頻微波晶體管的發展特點和發展趨勢,得出了射頻微波晶體管的選型原則。1 引 言半導體技術的發展,促進... (來源:技術文章頻道)
功率器件 射頻微波晶體管 2022-10-21 13:21
作為目前碳化硅MOSFET型號最豐富的國產廠商派恩杰,不僅在功率器件性能上達到國際一流廠商水平,在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商。總裁黃興博士用高性能和高可靠性的產品證明派恩杰是國產碳化硅功率器件的佼佼者,展現了超高的碳化硅設計能力和工藝水平。背景在功率器件半導體領域,越來越需要高... (來源:技術文章頻道)
SiC MOSFET 碳化硅 2022-10-19 10:26
Christophe MalevilleSoitec 創新部門副總裁 問題 1:相比傳統的碳化硅(SiC)技術,Soitec 的 SmartSiC™ 技術還較年輕,您能否介紹一下它目前發展的成熟度?Christophe Maleville:Soitec 的 SmartSiC™ 技術正在步入產業化階段。我們利用在&nbs... (來源:技術文章頻道)
電動汽車 Soitec SmartSiC 2022-10-10 15:13
前不久,雷諾集團和意法半導體宣布,雙方就2026-2030年新能源汽車用SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)產品的供貨,達成合作協議。無獨有偶,今年早些時候,德國緯湃科技(Vitesco Technologies),也獲得了來自現代汽車數億歐元的800V SiC逆變器的訂單;江淮汽車與博世也簽署了有關在SiC逆變器領域開展合作... (來源:技術文章頻道)
電動汽車 SiC功率器件 2022-4-27 11:31