隨著半導體工藝水平的提高，器件的尺寸越來越小，目前的溝道最小長度已經小于90nm，溝道長度為0．25ttm、0．18ttm的工藝已經相當普遍。減小器件尺寸可以提高電路的速度和集成度，但同時也給器件的特性帶來了影響，通常稱為短溝效應。短溝效應主要包括閾值電壓的變化、載流子遷移率的下降及速度飽... （來源：電子百科頻道）
短溝效應溝道模擬電路 2016-10-9 14:00
熱電子效應也是由于器件尺寸減小導致電場強度增加引起的。強電場在使載流子的平均速度達到飽和的同時，使其瞬時速度不斷增大，動能也不斷增加。具有比熱平衡時的 能量高得多的能量的電子稱為熱電子。 熱電子與晶格的碰撞，引起碰撞電離，產生電子空穴對，其中的電子流... （來源：電子百科頻道）
MOS器件模擬電路設計 2016-6-22 13:00
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