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襯底調制效應義稱體效應或背柵效應。在前節的分析中,是將源極與襯底短接在一起,使VBS=0。當源極與襯底的電位不相等時,會對MOS管的性能產生影響。 在CMOS集成電路中,為使器件相互之間處于隔離狀態,襯底與各管的源漏區之間的PN結均應處于反偏。一般將NMOS管的P型襯底... (來源:電子百科頻道)
襯底調制效應背柵效應MOS管 2016-6-21 10:13
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