鐵電體的晶體具有自發極化強度，并且自發極化強度的方向可以隨外加電場的方向而重新取向。鐵電存儲器正是利用了鐵電體的這種特性。在鐵電材料中，晶體中心位置的原子有兩個穩定的狀態。在外加電場下，中心原子可以從原來的位置越過勢壘達到另一個位置。而存儲的狀態就由中心原子的位置來進行存儲... （來源：電子百科頻道）
鐵電體 2017-8-30 13:18
Likharev等提出的結合納米技術和傳統CMOS工藝的CMOS／納米線／分子混合集成(CMOS／nanowire／molecular hybrid，CMOL)技術引起研究者們的廣泛關注，被認為是最有前途的CMOS替代技術之一。然而，當前的CMOL電路仍然面臨著諸多問題，最重要的就是連接兩層納米互連線的納米級小尺寸二極管的開... （來源：電子百科頻道）
CMOL電路納米技術存儲器 2016-10-13 13:55
針對基于傳統FPGA中SRAM架構的揮發性缺點，如果將SRAM變為非揮發性的SRAM，即可以擁有SRAM連續高速數據寫入的優點，又可以確保斷電后不丟失數據，保證數據的安全。目前已有關于采用NVSRAM編程的FPGA的報道，如基于鐵電存儲器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無需外置非揮發存儲器等優點。... （來源：電子百科頻道）
FPGA技術RRAM存儲單元鐵電存儲器 2016-10-13 13:54
作為新型非揮發性存儲器中的一員，RRAM要能夠與現在主流的浮柵flash競爭，除了要將存儲性能做到和flash相當之外。RRAM必須利用高集成密度的優勢來降低成本，從而獲取市場份額。 一般認為，RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中，使... （來源：電子百科頻道）
存儲器 2016-10-12 13:52
電化學金屬化(electrochemical metallization)機制，簡寫成ECM模型。這種模型主要是針對固態電解液基RRAM提出的，這類RRAM器件需要特殊的上、下電極材料，通常一端為電化學活性電極(如Ag、Cu和Ni等)，另一端為輔助電極，通常由電化學惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構成。該類RRAM的電阻轉變現象... （來源：電子百科頻道）
電化學金屬化機制RRAM器件ECM器件 2016-8-4 10:12
標準邏輯器件是具有標準邏輯功能的通用SSI、MSI集成電路，例如11幾工藝的54／74系列和隨后發展起來的CMOS工藝的CD 4000系列中的各種基本邏輯門、觸發器、選擇器分配器、計數器、寄存器等。 標準邏輯器件的生產批量大、成本低。由于其功能完全確定，電路設計時可將... （來源：電子百科頻道）
2016-5-24 16:23
時間繼電器時間繼電器是一種利用電磁原理或機械原理實現延時控制的自動開關裝置。它的種類很多，有空氣阻尼型、電動型和電子型和其他型等。 概述 時間繼電器早期在交流電路中常采用空氣阻尼型時間繼電器 ,它是利用空氣通過小孔節流的原理來獲得延時動作的。它由電磁系統、延時機構和觸點三部分組成。... （來源：電子百科頻道）
2013-4-16 16:18
百科名片 日本產圖像傳感器圖像傳感器，是組成數字攝像頭的重要組成部分。根據元件的不同，可分為CCD（Charge Coupled Device，電荷耦合元件）和CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體元件）兩大類。 概述 CCD CCD是應... （來源：電子百科頻道）
2013-4-1 11:01
數字電路 用數字信號完成對數字量進行算術運算和邏輯運算的電路稱為數字電路，或數字系統。由于它具有邏輯運算和邏輯處理功能，所以又稱數字邏輯電路。現代的數字電路由半導體工藝制成的若干數字集成器件構造而成。邏輯門是數字邏輯電路的基本單元。存儲器是用來存儲二值數據的數字電路。從整體上看，... （來源：電子百科頻道）
2013-3-22 10:09
FPGA（Field－Programmable Gate Array），即現場可編程門陣列，它是在PAL、GAL、CPLD等可編程器件的基礎上進一步發展的產物。它是作為專用集成電路（ASIC）領域中的一種半定制電路而出現的，既解決了定制電路的不足，又克服了原有可編程器件門電路數有限的缺點。目前以硬件描述語言（Verilog 或 VHDL）... （來源：電子百科頻道）
CPLD與FPGA 2013-3-7 17:12
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